Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Transistor à effet de champ BAV21 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 250 V 250 mA Traversant DO-35
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ SFH615A-2 STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le transistor d'optoisolant a produit 5300Vrms 1 la Manche 4-DIP
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRFP064NPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 55 V 110A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFP4568PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 150 V 171A (comité technique) 517W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFP4368PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 195A (comité technique) 520W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFP2907PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 209A (comité technique) 470W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFP4868PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 300 V 70 A (Tc) 517 W (Tc) Traversant TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFP450LC STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Traversant TO-247AC
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRFP250MPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 200 V 30 A (Tc) 214 W (Tc) Traversant TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFPE40PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 800 V 5.4A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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Transistor à effet de champ LH1525AABTR STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRFL4310TRPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) Montage en surface SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 2.8A (ventres) SOT-223
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFL110TRPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 1.5A (comité technique) 2W (merci), bâti SOT-223 de la surface 3.1W (comité technique)
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRFL024ZTRPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 5.1A (ventres) SOT-223
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFL9014TRPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal P 60 V 1,8 A (Tc) 2 W (Ta), 3,1 W (Tc) Montage en surface SOT-223
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRF5210STRLPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 38A (comité technique) 3.1W (merci), bâti D2PAK de la surface 170W (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF540NPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 33A (comité technique) 130W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF5210PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 40A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF530NPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 17A (comité technique) 70W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF5305STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
P-canal 55 V 31A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 110W (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF530PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 14A (comité technique) 88W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRF540NSTRLPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 100 V 33 A (Tc) 130 W (Tc) Montage en surface D2PAK
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF530NSTRLPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 17A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 70W (comité technique)
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On Semi / Catalyseur Semi
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Transistor à effet de champ IRF5305PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 55 V 31A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFB4310ZPBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 120A (comité technique) 250W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ IRFB4127PBF STOCK NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 76A (comité technique) 375W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRFL014NTRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET STOCK D'ORIGINE |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 1.9A (ventres) SOT-223
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Infineon
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BAS21 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23-3 de la diode 250 V 200mA
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On Semi / Catalyseur Semi
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BAS20 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23 de la diode 150 V 200mA
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Produit de fabrication
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BAS21 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de la diode 200 V 200mA
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On Semi / Catalyseur Semi
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BAS21 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23 de la diode 250 V 400mA
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Produit de fabrication
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BAS21 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de la diode 200 V 200mA
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Produit de fabrication
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BAS21 NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti extérieur SOT-23 de la diode 250 V 200mA
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Produit de fabrication
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BAS316 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
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Produit de fabrication
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BAS316 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
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Produit de fabrication
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BAS321JF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 250 V 250mA
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZLH STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZLZ STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZLX NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS321JX STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 200 V 250mA
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZL,135 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZLF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY/ZL, 115 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY-QZ NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Barrette de diodes 3 Indépendante 100 V 200 mA Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Produit de fabrication
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BAS16VY-QF NOUVEAU ET ORIGINAL STOCK |
Barrette de diodes 3 Indépendante 100 V 200 mA Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Produit de fabrication
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BAS16VY-QH STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY-QX STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY, 135 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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BAS16VY, 165 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 100 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Produit de fabrication
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