	Image	partie #	Description	fabricant	Courant	RFQ
		IGBT 600V 22A 156W a isolé le transistor bipolaire IRGB10B60KDPBF de porte	IGBT TNP 600 V 22 A 156 W par le trou TO-220AB
		Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle	IGBT
		IRG4BC30UD ISOLÉS DÉCLENCHENT le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR	IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
		IRG4BC20KDPBF ISOLÉS DÉCLENCHENT le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR	IGBT 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
		Haut transistor de la conductibilité IGBT/tension à grande vitesse 75V de la diode de changement BAV99	Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 75 V 15
		Transistor à effet de champ de haute précision MBR20100CTP Transistor bipolaire à porte isolée	Rangée de diode cathode commune de 1 paire 100 V par le trou TO-220-3
		TC4421AVOA Pilotes MOSFET haute vitesse de la puce de circuit intégré 9A	Pilote de porte côté bas IC Inversant 8-SOIC