Haut transistor de la conductibilité IGBT/tension à grande vitesse 75V de la diode de changement BAV99
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 75 V 15
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Diode de commutateur de vitesse de SeriesHigh:
diode de changement à grande vitesse
Application:
Pour des applications de changement d'usage universel
Paquet:
SOT23
Tension:
75V
Actuel:
215mA
D/C:
19+
Point culminant:
insulated gate bipolar transistor
,npn silicon phototransistor
Introduction
Diode de commutation rapide de signal de vitesse de commutation BAV99 la petite SOT-23 conjuguent en série
Description :
Le BAV99 est un double en série paquet de diode de SMD, signifiant qu'il y aura deux diodes reliées en série à l'intérieur d'un paquet de SMD. Les diodes peuvent être utilisées pour des applications de changement de petite grande vitesse de signal.
Caractéristiques :
• Vitesse de changement rapide
• Conductibilité élevée
• Paquet extérieur de bâti idéalement adapté à l'insertion automatique
• Relié en série
• AEC-Q101 a qualifié disponible
• Conductibilité élevée
• Paquet extérieur de bâti idéalement adapté à l'insertion automatique
• Relié en série
• AEC-Q101 a qualifié disponible
Applications
- Commutation d'usage universel
- Commutation à grande vitesse
- Protection inverse de polarité
- Coupant ou circuits de fixage
- Circuits de protection
En stock
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Courant:
MOQ:
10pcs