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Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
IGBT
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-émetteur:
1200 volts continu
Tension de Collecteur-porte (RGE = 1,0 MΩ):
1200 volts continu
Tension de Porte-émetteur — Continu:
± 20 volts continu
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C:
125 watts
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage:
– °C 55 à 150
Temps de tenue de court-circuit:
10 μs
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction


Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode antiparallèle
Porte de silicium d'Amélioration-mode de N-canal

IGBT ET DIODE DANS TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTS
COURT-CIRCUIT ÉVALUÉ

Ce transistor bipolaire isolé de porte (IGBT) Co-est empaqueté avec un redresseur ultra-rapide de récupération douce et emploie un plan de dénouement anticipé pour fournir une capacité de tension-blocage élevée augmentée et fiable. Le court-circuit a évalué IGBT approprié spécifiquement aux applications exigeant d'un court-circuit garanti de résister au temps tel que des commandes de contrôle de moteur. Les caractéristiques de changement rapides ont comme conséquence le fonctionnement efficace aux hautes fréquences. l'espace des économies d'IGBT Co-emballé, réduisent le délai d'assemblage et le coût.

• Paquet industriellement compatible de la puissance élevée TO-247 avec le trou de montage d'isolement
• Eoff à grande vitesse : 150 ? J/A typique à 125°C
• Capacité élevée de court-circuit – 10 ? minimum de s
• La diode de roulement libre de récupération douce est incluse dans le paquet
• Arrêt à haute tension robuste
• RBSOA robuste

ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire)

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de collecteur-émetteur VCES 1200 Volts continu
Tension de Collecteur-porte (RGE = 1,0 MΩ) VCGR 1200 Volts continu
Tension de Porte-émetteur — Continu VGE ± 20 Volts continu

Courant de collecteur — Continu @ comité technique = 25°C

— Continu @ comité technique = 90°C

— (1) actuel pulsé répétitif

IC25

IC90

Missile aux performances améliorées

20

12

40

Volts continu

Apk

Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Palladium

125

0,98

Watts

W/°C

Température ambiante de jonction d'opération et de stockage TJ, Tstg – 55 à 150 °C

Temps de tenue de court-circuit

(VCC = 720 volts continu, VGE = 15 volts continu, TJ = 125°C, RG = Ω 20)

centre technique 10 ? μs

Résistance thermique — Jonction pour enfermer – IGBT

— Jonction pour enfermer – la diode

— Jonction à ambiant

RθJC

RθJC

RθJA

1,0

1,4

45

°C/W
La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8 ″ de point de droit pendant 5 secondes TL 260 °C
Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 lbf* 10 ? dans (N 1,13 ? *m)

(1) la durée d'impulsion est limitée par la température de jonction maximum. Estimation répétitive.

DIMENSIONS DE PAQUET



Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
L9616D 3785 St 15+ SOP8
LM7818CT 7181 NSC 14+ TO-220
2MBI100N-060 418 FUJI 12+ MODULE
PMBS3904 60000 14+ SOT-23
MT41K128M16JT-125 : K 7044 MICRON 14+ BGA
P80C31BH-1 9620 INTEL 16+ IMMERSION
LXT906PC 4933 LEVELONE 16+ PLCC
LTC3440EMS 6740 LT 16+ MSOP
MAX3232EIPWR 11650 TI 14+ TSSOP
BTA24-600BW 10000 St 15+ TO-220
MSP430G2231IPW14R 6841 TI 16+ TSSOP
MJF15031G 86000 SUR 16+ TO-220
MC7805ABD2TR4G 4072 SUR 14+ TO-263
MCP73871-2CCI/ML 5626 PUCE 16+ QFN
MCP1702-5002E/TO 5050 PUCE 16+ TO-92
NCT3941S-A 14560 NUVOTON 11+ SOP-8
LM308H 500 NSC 11+ CAN-8
M27256-2F1 4179 St 16+ IMMERSION
LM75AD 5432 14+ SOP-8
MAX6369KA+T 4625 MAXIME 14+ IVROGNE
PIC16F76T-I/SO 4988 PUCE 14+ CONCESSION




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