Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle
npn smd transistor
,silicon power transistors
Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode antiparallèle
Porte de silicium d'Amélioration-mode de N-canal
IGBT ET DIODE DANS TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLTS
COURT-CIRCUIT ÉVALUÉ
Ce transistor bipolaire isolé de porte (IGBT) Co-est empaqueté avec un redresseur ultra-rapide de récupération douce et emploie un plan de dénouement anticipé pour fournir une capacité de tension-blocage élevée augmentée et fiable. Le court-circuit a évalué IGBT approprié spécifiquement aux applications exigeant d'un court-circuit garanti de résister au temps tel que des commandes de contrôle de moteur. Les caractéristiques de changement rapides ont comme conséquence le fonctionnement efficace aux hautes fréquences. l'espace des économies d'IGBT Co-emballé, réduisent le délai d'assemblage et le coût.
• Paquet industriellement compatible de la puissance élevée TO-247 avec le trou de montage d'isolement
• Eoff à grande vitesse : 150 ? J/A typique à 125°C
• Capacité élevée de court-circuit – 10 ? minimum de s
• La diode de roulement libre de récupération douce est incluse dans le paquet
• Arrêt à haute tension robuste
• RBSOA robuste
ESTIMATIONS MAXIMUM (TJ = 25°C sauf indication contraire)
Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de collecteur-émetteur | VCES | 1200 | Volts continu |
Tension de Collecteur-porte (RGE = 1,0 MΩ) | VCGR | 1200 | Volts continu |
Tension de Porte-émetteur — Continu | VGE | ± 20 | Volts continu |
Courant de collecteur — Continu @ comité technique = 25°C — Continu @ comité technique = 90°C — (1) actuel pulsé répétitif |
IC25 IC90 Missile aux performances améliorées |
20 12 40 |
Volts continu
Apk |
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
Palladium |
125 0,98 |
Watts W/°C |
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage | TJ, Tstg | – 55 à 150 | °C |
Temps de tenue de court-circuit (VCC = 720 volts continu, VGE = 15 volts continu, TJ = 125°C, RG = Ω 20) |
centre technique | 10 | ? μs |
Résistance thermique — Jonction pour enfermer – IGBT — Jonction pour enfermer – la diode — Jonction à ambiant |
RθJC RθJC RθJA |
1,0 1,4 45 |
°C/W |
La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8 ″ de point de droit pendant 5 secondes | TL | 260 | °C |
Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 | lbf* 10 ? dans (N 1,13 ? *m) |
(1) la durée d'impulsion est limitée par la température de jonction maximum. Estimation répétitive.
DIMENSIONS DE PAQUET
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Q'ty | MFG | D/C | Paquet |
L9616D | 3785 | St | 15+ | SOP8 |
LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
2MBI100N-060 | 418 | FUJI | 12+ | MODULE |
PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
MT41K128M16JT-125 : K | 7044 | MICRON | 14+ | BGA |
P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | IMMERSION |
LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
MAX3232EIPWR | 11650 | TI | 14+ | TSSOP |
BTA24-600BW | 10000 | St | 15+ | TO-220 |
MSP430G2231IPW14R | 6841 | TI | 16+ | TSSOP |
MJF15031G | 86000 | SUR | 16+ | TO-220 |
MC7805ABD2TR4G | 4072 | SUR | 14+ | TO-263 |
MCP73871-2CCI/ML | 5626 | PUCE | 16+ | QFN |
MCP1702-5002E/TO | 5050 | PUCE | 16+ | TO-92 |
NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
M27256-2F1 | 4179 | St | 16+ | IMMERSION |
LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
MAX6369KA+T | 4625 | MAXIME | 14+ | IVROGNE |
PIC16F76T-I/SO | 4988 | PUCE | 14+ | CONCESSION |