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IRG4BC30UD ISOLÉS DÉCLENCHENT le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR

IRG4BC30UD ISOLÉS DÉCLENCHENT le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR
IRG4BC30UD ISOLÉS DÉCLENCHENT le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
IGBT 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-to-Emitter Voltage:
600 V
Continuous Collector Current:
12 A
Pulsed Collector Current :
92 A
Clamped Inductive Load Current:
92 A
Point culminant:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Bulletin de la cote

PBL3764 1040 ERICSSON 16+ PLCC
OB2268CCPA 5560 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LM5071MT-50 1794 NSC 14+ TSSOP-16
MAX14840EASA+T 5600 MAXIME 14+ CONCESSION
LT1372HVIS8 9466 LINÉAIRE 15+ SOP-8
LTC2209CUP 506 LINÉAIRE 14+ QFN
XCS05-3VQG100C 420 XILINX 12+ QFP100
LP2951CN 10000 NSC 15+ DIP-8
CS8967G 1376 MYSON 16+ QFP
LS1240A 10000 UTC 16+ DIP-8
BTS442E2 2100 14+ TO-220-5
ATMEGA8A-MU 6560 ATMEL 15+ QFN32
ATMEGA8A-MU 2500 ATMEL 15+ QFN-32
ICE1HS01G 2460 14+ SOP-8
AT93C86A-10PU-2.7 2500 ATMEL 13+ DIP-8
FW82801AA SL3Z2 3460 INTEL 16+ BGA
LM4040EIM3X-2.5 10000 NSC 15+ SOT-23
LTC1144CS8#PBF 15010 LINÉAIRE 15+ CONCESSION
L9829 2201 St 16+ SOP-36
74HC595D 7500 15+ CONCESSION
FDS4935A 2200 FSC 15+ SOP-8
ADR5041ARTZ-REEL7 2000 ANNONCE 16+ SOT-23
CM1200HB-66H 170 MITSUBISH 14+ MODULE
FQPF6N80 3460 FAIRCHILD 15+ TO-220
L9929 3136 St 15+ HSSOP24
74HC4051D 7500 15+ CONCESSION
MAX280CPA 8800 MAXIME 16+ IMMERSION
BQ24075RGTR 1560 TI 15+ QFN16
IRG4BC20KD-S 1500 IR 13+ TO-263
1SV149 3000 TOSHIBA 15+ TO-92S
74HC4046AD 7500 16+ CONCESSION
MC14070BDR2G 38000 SUR 16+ CONCESSION
NPCD378HAKFX 3620 MUVOTON 16+ QFP
HCNW3120 3460 AVAGO 15+ SOP-8/DIP-8
AD8227ARZ 2450 ANNONCE 14+ CONCESSION
MC68HC908GZ48CFA 3760 MOT 14+ QFP
BD534 5500 St 16+ TO-220
MC68HC908GZ60CFA 3766 MOT 14+ QFP
MC1458DT 9317 St 10+ CONCESSION
PH1819-60 2050 PHILIPS 14+ TO-63

IRG4BC30UD

Transistor MOSFET BIPOLAIRE ISOLÉ de puissance faible de TRANSISTOR de PORTE

Caractéristiques

• Ultra-rapide : Optimisé pour de hautes fréquences d'opération 8-40 kilohertz dans la commutation dure, >200 kilohertz en mode résonnant

• La conception de la génération 4 IGBT fournit une distribution plus serrée de paramètre et un rendement plus élevé que la génération 3

• IGBT Co-a empaqueté avec HEXFREDTM ultra-rapide, diodes antiparallèles d'ultra-doux-récupération pour l'usage dans des configurations de pont • Paquet industriellement compatible de TO-220AB

Avantages

• Les rendements les plus élevés d'offre de la génération -4 IGBT disponibles

• IGBTs a optimisé pour des états spécifiques d'application

• Les diodes de HEXFRED ont optimisé pour la représentation avec IGBTs. Les caractéristiques réduites au minimum de récupération exigent rebrouer de less/no

• A conçu pour être un remplacement de « réunion informelle » pour la génération industriellement compatible équivalente 3 IR IGBTs

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