Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
|
Produit de fabrication
|
|
|
|
|
|
Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 85 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 70 V 200mA Montage en surface
|
Produit de fabrication
|
|
|
|
|
|
BAW56S,115 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires d'anodes communes 90 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
|
Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
|
|
|
|
|
|
Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire d'anodes communes 70 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
|
|
|
|
|
|
BC807RAZ Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Réseau de transistors bipolaires (BJT) 2 PNP (double) 45V 500mA 80MHz 350mW Montage en surface DFN14
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC807-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montage en surface SOT-323
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC807-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC807-25 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
|
Produit de fabrication
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
|
Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
|
|
|
|
|
|
BC817RAZ Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de transistors bipolaires (BJT) 2 NPN (double) 45V 500mA 100MHz 350mW Montage en surface DFN1
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
|
Produit de fabrication
|
|
|
|
|
|
BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW Montage en surface SOT23-3 (TO-236)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC817-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 65 V 100 mA 300 MHz 350 mW Montage en surface SOT-23-3
|
Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
|
Taïwan Semiconductor Corporation
|
|
|
|
|
|
BC846BPN,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée bipolaire NPN, bâti extérieur 6-TSSOP du transistor (BJT) de PNP 65V 100mA 100MHz 300mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 FOUTE neuve et originale |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 FOUTE neuve et originale |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 50MHz 1,6 W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP54 FOUTE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BCP54 FOUTE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
|
|
|
IRFL4310TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) Montage en surface SOT-223
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL024NTRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 2.8A (ventres) SOT-223
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BCP53 FOUTE neuve et originale |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montage en surface SOT-223-4
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 33A (comité technique) 130W (comité technique) par le trou TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BK/GMT-7-1/2A Puce à fusible neuve et originale |
7.5A 125 VCA fusible de 60 volts continu indiquant le fusible exige le support
|
Produit de fabrication
|
|
|
|
|
|
BCP54-16,135 Stocks nouveaux et originaux |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un 180MHz bâti extérieur SOT-223 de 960 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP54-16,115 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un 180MHz bâti extérieur SOT-223 de 960 mW
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP55 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP55 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
|
|
|
BCP55-16 ACTIONS nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP55-16 ACTIONS nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP56 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
|
|
|
BCP56 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
|
On Semi / Catalyseur Semi
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 2 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 2 W
|
Semi-conducteur de Diotec
|
|
|