Filtres
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Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Transistor à effet de champ BAV70W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 75 V 300mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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DIODES
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Transistor à effet de champ BAV70W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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Infineon
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Transistor à effet de champ BAV99 NEW AND ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 70 V 21
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Produit de fabrication
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BAV99S_R1_00001 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 2 paires Connexion série 75 V 150mA Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Produit de fabrication
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BAV99S,135 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires Connexion série 100 V 200 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
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Nexperia
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BAV99S,115 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires Connexion série 100 V 200 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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Taïwan Semiconductor Corporation
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Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 85 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fairchild
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Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 70 V 200mA Montage en surface
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Produit de fabrication
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BAW56S,115 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires d'anodes communes 90 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV99W NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire Connexion en série 75 V 150mA Montage en surface SC-70, SOT-323
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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Transistor à effet de champ BAW56 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de diodes 1 paire d'anodes communes 70 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BC807RAZ Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Réseau de transistors bipolaires (BJT) 2 PNP (double) 45V 500mA 80MHz 350mW Montage en surface DFN14
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Nexperia
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BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC807-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Infineon
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BC807-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Montage en surface SOT-323
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 800 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 310 mW
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Infineon
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BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
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Produit de fabrication
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BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC807-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100 MHz 300 mW Montage en surface SOT-23
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BC817RAZ Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Réseau de transistors bipolaires (BJT) 2 NPN (double) 45V 500mA 100MHz 350mW Montage en surface DFN1
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Nexperia
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BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
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Produit de fabrication
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BC817-16 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW Montage en surface SOT23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC817-16W Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire
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Infineon
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BC817-25 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC817-40 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 500 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 65 V 100 mA 300 MHz 350 mW Montage en surface SOT-23-3
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC846BPN,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée bipolaire NPN, bâti extérieur 6-TSSOP du transistor (BJT) de PNP 65V 100mA 100MHz 300mW
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Nexperia
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BCP53-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP53-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP53-16 FOUTE neuve et originale |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 120MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP53-16 FOUTE neuve et originale |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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BCP54 FOUTE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP54 FOUTE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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IRFL4310TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) Montage en surface SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 2.8A (ventres) SOT-223
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Infineon
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BCP53 FOUTE neuve et originale |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Montage en surface SOT-223-4
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On Semi / Catalyseur Semi
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IRF540NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 100 V 33A (comité technique) 130W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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BK/GMT-7-1/2A Puce à fusible neuve et originale |
7.5A 125 VCA fusible de 60 volts continu indiquant le fusible exige le support
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Produit de fabrication
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BCP54-16,135 Stocks nouveaux et originaux |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un 180MHz bâti extérieur SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP54-16,115 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un 180MHz bâti extérieur SOT-223 de 960 mW
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Nexperia
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BCP55 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP55-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP55-10 stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP55 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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