Filtres
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Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 215mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, S
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Produit de fabrication
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BCV46TC stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 330 mW
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DIODES
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BCV47QTC stock neuf et original |
Transistor bipolaire (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 170 MHz 310 mW Montage en surface SOT-23-3
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DIODES
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BCV47TC stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 330 mW
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DIODES
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BCV47 TR PBFREE Nouveau et original stock |
Transistor bipolaire (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 mA 220 MHz 350 mW Montage en surface SOT-23
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Produit de fabrication
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BCX51-10F stock neuf et original |
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Montage en surface SOT-89
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Nexperia
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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NXP
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX5116TA |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODES
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,135 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10-TP |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un 50MHz bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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Nexperia
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BCX5210TA stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-89-3 de 150MHz 1 W
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DIODES
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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ACTIONS de transistor à effet de champ KBU8M-E4/51 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Norme monophasé de pont redresseur 1 kilovolt par le trou KBU
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRL2203NPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 116A (comité technique) 180W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Le 0H DU MATIN de VS-40TPS ACTIONS de transistor à effet de champ de NOUVELLES ET ORIGINALES |
Thyristor 1,2 kilovolt 55 une récupération standard par le trou TO-247AC
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ KSC2073 NOUVELLES ET ORIGINALES |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 150 V 1,5 un 4MHz 25 W par le trou TO-220-3
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On Semi / Catalyseur Semi
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLL110TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1.5A (comité technique) 2W (merci), bâti SOT-223 de la surface 3.1W (comité technique)
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7309TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 30V 4A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 3A 1.4W
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7205TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 8-SO de la surface 2.5W (comité technique) du P-canal 30 V 4.6A (ventres)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7493TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 8-SO de la surface 2.5W (comité technique) du N-canal 80 V 9.3A (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7424TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Canal P 30 V 11 A (Ta) 2,5 W (Ta) Montage en surface 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7416TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 10A (ventres) 8-SO
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7504TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur Micro8™ de la rangée 20V 1.7A 1.25W de transistor MOSFET
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF7317TRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée 20V 6.6A, bâti extérieur 8-SO de transistor MOSFET de 5.3A 2W
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ100-N3 |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 40 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ060PBF |
Matrice de diodes 1 paire cathode commune 60 V 20 A trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ100PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 20 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR3410TRPBF |
Canal N 100 V 17 A (Tc) 79 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8729TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 55W (comité technique) du N-canal 30 V 58A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR7843TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 140W (comité technique) du N-canal 30 V 161A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR2905TRPBF |
Canal N 55 V 42 A (Tc) 110 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8743TRPBF |
Canal N 30 V 160 A (Tc) 135 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR9343TRPBF |
Bâti PG-TO252-3 de la surface 79W (comité technique) du P-canal 55 V 20A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR3114ZTRPBF |
Canal N 40 V 42 A (Tc) 140 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8726TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 75W (comité technique) du N-canal 30 V 86A (comité technique)
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Infineon
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IRLR3636TRPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti D-PAK de la surface 143W (comité technique) du N-canal 60 V 50A (comité technique)
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Infineon
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IRLR2905ZTRPBF stock nouveau et original |
Canal N 55 V 42 A (Tc) 110 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 250 V 250 mA Traversant DO-35
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Fairchild
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Transistor à effet de champ BAV23CLT1G Nouveau et original |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 250 V 400mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23
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On Semi / Catalyseur Semi
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BAV23A,215 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 200 V 225mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV23A-7-F |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 200 V 400mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODES
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Transistor à effet de champ BAV23S Nouveau et original |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la connexion de série de 1 paire 250 V 2
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la cathode 75 V 215mA de terrain communa
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Fairchild
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 215mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, S
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Produit de fabrication
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 70 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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Transistor à effet de champ BAV70 |
Réseau de diodes 1 paire de cathodes communes 70 V 200mA Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-
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Infineon
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BAV70S,135 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires de cathodes communes 100 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88,
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Nexperia
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