Filtres
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Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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BCP55-16 ACTIONS nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP55-16 ACTIONS nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 1,3 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP56 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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BCP56 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 80 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 2 W
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Semi-conducteur de Diotec
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BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W Montage en surface SOT-223
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Anbon Semi
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BCP56-16 stock nouveau et original |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 80 V 1 A 1,6 W Montage en surface SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 stock neuf et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Fairchild
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BCP69-16 Stocks nouveaux et originaux |
Transistor (BJT) bipolaire 20 V 1 un bâti extérieur PG-SOT223-4 de 100MHz 3 W
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Infineon
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BCV46QTA stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 310 mW
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DIODES
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BCV46-QR stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 60 V 500 mA bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV46TA stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 60 V 500 mA 200MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 330 mW
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DIODES
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BCV47,235 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV47,215 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV46,215 RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 60 V 500 mA 220MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCV47TA stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz bâti extérieur SOT-23-3 de 330 mW
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DIODES
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IRFP2907PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 209A (comité technique) 470W (comité technique) par le trou TO-247AC
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Infineon
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IRFP4868PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 300 V 70 A (Tc) 517 W (Tc) Traversant TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFP450LC |
Canal N 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Traversant TO-247AC
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VISHAY
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Transistor à effet de champ IRFP250MPBF |
Canal N 200 V 30 A (Tc) 214 W (Tc) Traversant TO-247AC
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRFPE40PBF NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 800 V 5.4A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF Transistor à effet de champ |
IGBT 600 V 40 A 160 W Traversant TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti 1W (merci) extérieur du N-canal 55 V 1.9A (ventres) SOT-223
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Infineon
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BC847BS Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
(BJT) bâti extérieur bipolaire SC-88 (SC-70-6) de la rangée 2 NPN (double) 45V 100mA 210mW du transi
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On Semi / Catalyseur Semi
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BC847BW Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Semi-conducteur de Diotec
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BC847W,135 Surface Mount Inducteur Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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NXP
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BC848B Transistor haute fréquence Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor haute tension Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC856B Transistor de puissance Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 150MHz bâti extérieur SOT-23 de 350 mW
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BC856BW Transistor de puissance Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Semi-conducteur de Diotec
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BC856W-QX Inducteur réglable Nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856S Inducteur réglable Nouveau et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-363 de la rangée 2 PNP (double) 65V 100mA 100MHz 250mW du transistor (B
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Semi-conducteur de Diotec
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BC856W-QF stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC856W/ZL115 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire
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NXP
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BC857,215 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BC857A stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC857BS stock nouveau et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-363 de la rangée 2 PNP (double) 45V 100mA 200MHz 300mW du transistor (B
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Produit de fabrication
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BC857BW stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Semi-conducteur de Diotec
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BC857C stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 150MHz bâti extérieur SOT-23 de 350 mW
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BC857BW stock neuf et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Semi-conducteur de Diotec
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BC857C stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC857W,135 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC857W,115 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Nexperia
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BC858B stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC858B stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Infineon
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BCM857BS,115 stock nouveau et original |
La rangée bipolaire 2 PNP du transistor (BJT) (double) a assorti le bâti extérieur 6-TSSOP des paire
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Nexperia
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BCM857BS-7-F Nouveau et original |
Bâti extérieur bipolaire SOT-363 de la rangée 2 PNP (double) 45V 100mA 100MHz 200mW du transistor (B
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DIODES
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BCP51 INSTANCE neuve et originale |
Bâti extérieur bipolaire SOT-223-4 du transistor (BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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On Semi / Catalyseur Semi
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