Filtres
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Composants électroniques
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFU9024NPBF |
P-canal 55 V 11A (comité technique) 38W (comité technique) par le trou IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ de VS-HFA08SD60STRPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti extérieur D-PAK (TO-252AA) de la diode 600 V 8A
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ 80CNQ045ASM NOUVELLES ET ORIGINALES |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 45 V 40A par le trou D-61-8-SM
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VISHAY
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1018EPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 79A (comité technique) 110W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ IRF100B201 NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 192A (comité technique) 441W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1405PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 55 V 169A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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Transistor à effet de champ IRF1407STRLPBF STOCK NEUF ET ORIGINAL |
N-canal 75 V 100A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 200W (comité technique)
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1312PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 80 V 95A (comité technique) 3.8W (merci), 210W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRF1404ZSTRLPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
Bâti PG-TO263-3 de la surface 200W (comité technique) du N-canal 40 V 180A (comité technique)
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Infineon
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IRLB3034PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Canal N 40 V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Trou traversant TO-220AB
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Produit de fabrication
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB3036PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 60 V 195A (comité technique) 380W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRLB3813PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 30 V 260A (comité technique) 230W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFD120PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 100 V 1.3A (ventres) 1.3W (ventres) par le trou 4-HVMDIP
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFR3709ZTRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 79W (comité technique) du N-canal 30 V 86A (comité technique)
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Infineon
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2SC2712-GR,LF IC de mémoire flash Nouveau et original |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Monture de surface S-Mini
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TOSHIBA
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2SC2712-Y,LF mémoire flash IC Nouveau et original stock |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Monture de surface S-Mini
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TOSHIBA
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TIP127 stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W par le trou TO-220
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On Semi / Catalyseur Semi
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TIP31C Réserves nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 100 V 3 A 2 W par le trou TO-220
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STMicroelectronics
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8ETH06 IC de mémoire flash NEW AND ORIGINAL stock |
Diode 600 V 8A Traversant TO-220AC
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VISHAY
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BCM846SH6327XTSA1 IC de mémoire flash Nouveau et original |
Réseau de transistors bipolaires (BJT) 2 NPN (double) 65V 100mA 250MHz 250mW Montage en surface PG-S
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Infineon
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GRM033R71A122KA01D stock nouveau et original |
1200 condensateur en céramique de PF ±10% 16V X7R 0201 (0603 métriques)
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Murata
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GRM155R61C105KA12D Condensateur à haute température Nouveau et original |
1 µF ±10% Condensateur céramique 16V X5R 0402 (1005 métrique)
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Murata
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