Filtres
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Composants électroniques
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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BT2département de l'agriculture |
SCR 650 V 12 A Montage de surface de récupération standard DPAK
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fait dans la porcelaine
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BAT54C Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 30 V 200mA (C.C) de 1
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BAT54HT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 30 V 200mA
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On Semi / Catalyseur Semi
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BAT54SLT1G Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 2
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On Semi / Catalyseur Semi
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BA595E6327 Puce IC électronique neuve et originale |
Le code PIN de la diode RF est unique 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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BAS316 puce IC électronique neuve et originale |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 100 V 250mA
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BAS40TW-7-F puce électronique IC neuve et originale |
Diode 3 indépendante 40 V 200 mA (DC) Monture de surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DIODES
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BAT46W-7-F Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Bâti extérieur SOD-123 de la diode 100 V 150mA
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DIODES
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BAT54A Puce à circuits intégrés électroniques neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 30 V 200mA de 1 paire
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On Semi / Catalyseur Semi
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IC mémoire flash EMH4T2R Nouveau et original |
Transistor bipolaire Pré-décentré (BJT) 2 NPN - (double) bâti extérieur Pré-décentré EMT6 de 50V 100
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Semi-conducteurs Rohm
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2N7002W-7-F puce à circuits intégrés électroniques neuve et originale |
N-canal 60 V 115 mA (Ta) 200 mW (Ta) Monture de surface SOT-323
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DIODES
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2SC2713-BL,LF Puce IC électronique neuve et originale |
Transistor bipolaire (BJT) NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Monture de surface TO-236
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TOSHIBA
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-HFA25PB60PBF |
La diode 600 V 25A par le trou TO-247AC a modifié
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRL1404PBF |
N-canal 40 V 160A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGI4061DPBF |
Fossé 600 V 20 A 43 W d'IGBT par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'AUIRFS4010-7TRL |
Bâti D2PAK (7-Lead) de la surface 380W (comité technique) du N-canal 100 V 190A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE TCMT1107 |
Le transistor d'optoisolant a produit 3750Vrms 1 la Manche 4-SOP
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 1N5245B-TAP |
Diode Zener 15 V 500 mW ±5% par le trou DO-35 (DO-204AH)
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SUD17N25-165-E3 |
N-canal 250 V 17A (comité technique) 3W (merci), bâti TO-252AA de la surface 136W (comité technique)
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VISHAY
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BC848B Inducteur variable Nouveau et original de stock Certification ROHS |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 30 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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UPA1793G-E1 Nouveau et original |
Mosfet Array 20V 3A 2W Monture de surface 8-PSOP
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RENESAS
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B340Q-13-F Puce IC électronique neuve et d'origine |
Diode 40 V 3A Montage en surface SMC
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DIODES
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B160-13-F Puce IC électronique neuve et originale |
Diode 60 V 1A montée à la surface SMA
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DIODES
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IRF6638TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 9.3A (comité technique) 82W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF620PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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VISHAY
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IRF630NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Monture de surface D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande de la même puissance.
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 150 V 2,2 A (Ta) 2,5 W (Ta) Monture de surface 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
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Infineon
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VS-63CPQ100PBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Diode 1 paire cathode commune 100 V 30A à travers le trou TO-247-3
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VISHAY
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IRF640NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 79W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 23A (comité technique) 3.1W (merci), bâti D2PAK de la surface 110W (comité technique)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 8A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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IRF9540PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 19A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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IRF9640STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 3W (merci), 125W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D de
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VISHAY
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IRF9640PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 9.2A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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IRF9Z24NSTRLPBF Transistor à effet de champ |
P-canal 55 V 12A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 45W (comité technique)
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Infineon
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IRF9630PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 6.5A (comité technique) 74W (comité technique) par le trou TO-220AB
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VISHAY
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IRF9Z34NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 55 V 19A (comité technique) 68W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 79W (comité technique)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 55 V 12A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9310TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 20A (comité technique) 8-SO
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Infineon
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IRG4BC30KDPBF Transistor à effet de champ |
IGBT 600 V 28 A 100 W par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor à effet de champ |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur IGBT de 600 V 28 A 100 W.
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Infineon
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IRF9540NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 23A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9321TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 15A (ventres) 8-SO
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Infineon
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