5 transistors de puissance actuels bas de BD911 3 Pin Transistor Silicon NPN
Caractéristiques
Collector-base voltage:
80 v
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current:
15 A
Base current:
Base current 5 A
Collector power dissipation:
90 W
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Transistors de puissance du silicium NPN BD909 BD911
DESCRIPTION ·
·Avec le paquet de TO-220C
·Complément pour dactylographier BD910 BD912
APPLICATIONS ·
Intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | 5 | V |
IC | Courant de collecteur | 15 | ||
IB | Courant bas | 5 | ||
PC | Dissipation de puissance de collecteur de PC | TC≤25℃ | 90 | W |
Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
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Courant:
MOQ:
20pcs