Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 50MHz 1 W
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
-60V
Tension de collecteur-émetteur:
-60V
tension d'Émetteur-base:
-7V
Collecteur Actuel-continu:
-3A
Dissipation de puissance de collecteur @TC=25℃:
10w
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
150℃
température de stockage:
-55~150℃
Le paquet:
TO126
Point culminant:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introduction
2SB1261 Transistors épitaxiaux au silicium à diode PNP à usage général
Définition
·faible tension de saturation du collecteur
·Dissipation de puissance élevée: PC= 10W(Max) @TC=25°C
·Complément au type 2SD1899-K
Applications
Applications
·Conçu pour une utilisation dans les amplificateurs audio et les commutateurs, en particulier dans les circuits intégrés hybrides.
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Courant:
MOQ:
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