5 transistors de puissance actuels bas de BD911 3 Pin Transistor Silicon NPN
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-base voltage:
80 v
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current:
15 A
Base current:
Base current 5 A
Collector power dissipation:
90 W
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Transistors de puissance du silicium NPN BD909 BD911
DESCRIPTION ·
·Avec le paquet de TO-220C
·Complément pour dactylographier BD910 BD912
APPLICATIONS ·
Intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
| VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | 5 | V |
| IC | Courant de collecteur | 15 | ||
| IB | Courant bas | 5 | ||
| PC | Dissipation de puissance de collecteur de PC | TC≤25℃ | 90 | W |
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ |
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Courant:
MOQ:
20pcs