Nouveaux et originaux transistors de puissance du silicium PNP, paquet 2SB861 de TO-220C
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Transistors de puissance du silicium PNP 2SB861
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-220C
·Complément pour dactylographier 2SD1138
APPLICATIONS
·Sortie verticale basse fréquence de débattement de la couleur TV d'amplificateur de puissance
GOUPILLER
PIN | DESCRIPTION |
1 | Émetteur |
2 |
Collecteur ; relié à montage de la base |
3 | Base |
Capacités absolues (Ta=25 ? ℃)
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
VCBO | Tension de collecteur-base | Émetteur ouvert | -200 | V |
VCEO | Tension de collecteur-émetteur | Base ouverte | -150 | V |
VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | -6 | V |
IC | Courant de collecteur | -2 | ||
ICP | Actuel-crête de collecteur | -5 | ||
PC | Dissipation de puissance de collecteur | Ventres =25 ? ℃ | 1,8 | W |
Comité technique =25 ? ℃ | 30 | |||
Tj | La température de jonction | 150 | ? ℃ | |
Tstg | Température de stockage | -45~150 | ? ℃ |
CONTOUR DE PAQUET
Le contour Fig.2 dimensionne (tolérance unindicated : ±0.10 millimètre)