Nouveaux et originaux transistors de puissance du silicium PNP, paquet 2SB861 de TO-220C
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
Paquet:
Paquet de TO-220C
Point culminant:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduction
Transistors de puissance du silicium PNP 2SB861
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-220C
·Complément pour dactylographier 2SD1138
APPLICATIONS
·Sortie verticale basse fréquence de débattement de la couleur TV d'amplificateur de puissance
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | Émetteur |
| 2 |
Collecteur ; relié à montage de la base |
| 3 | Base |
Capacités absolues (Ta=25 ? ℃)
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ |
| VCBO | Tension de collecteur-base | Émetteur ouvert | -200 | V |
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | Base ouverte | -150 | V |
| VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | -6 | V |
| IC | Courant de collecteur | -2 | ||
| ICP | Actuel-crête de collecteur | -5 | ||
| PC | Dissipation de puissance de collecteur | Ventres =25 ? ℃ | 1,8 | W |
| Comité technique =25 ? ℃ | 30 | |||
| Tj | La température de jonction | 150 | ? ℃ | |
| Tstg | Température de stockage | -45~150 | ? ℃ |
CONTOUR DE PAQUET
Le contour Fig.2 dimensionne (tolérance unindicated : ±0.10 millimètre)
PRODUITS CONNEXES
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs