Nouveau et original silicium NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
npn smd transistor
,silicon power transistors
Silicium NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-3PN
·Complément pour dactylographier 2SB1560
·Gain actuel élevé de C.C
APPLICATIONS
·Audio, régulateur et usage universel
GOUPILLER
PIN | DESCRIPTION |
1 | Base |
2 |
Collecteur ; relié à montage de la base |
3 | Émetteur |
CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | MINUTE | TYPE. | Max | UNITÉ |
PRÉSIDENT DE V (BR) | Tension claque de collecteur-émetteur | IC =30mA ; IB =0 | 150 | V | ||
VCEsat | Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC =7A ; IB =7mA | 2,5 | V | ||
VBEsat | Tension de saturation d'émetteur de base | IC =7A ; IB =7mA | 3,0 | V | ||
ICBO | Courant de coupure de collecteur | IE =0 DE VCB =160V | 100 | μA | ||
IEBO | Courant de coupure d'émetteur | VEB =5V ; IC =0 | 100 | μA | ||
hFE | Gain actuel de C.C | IC =7A ; VCE =4V | 5000 | |||
Épi | Capacité de sortie | IE =0 ; VCB =10V ; f=1MHz | 95 | PF | ||
pi | Fréquence de transition | IC =2A ; VCE =12V | 55 | Mégahertz | ||
Périodes de changement | ||||||
tonne | Temps d'ouverture |
IC =7A ; RL =10Ω IB1 = - IB2 =7MA VCC =70V |
0,5 | μs | ||
solides totaux | Temps d'entreposage | 10,0 | μs | |||
tf | Temps de chute | 1,1 | μs |
classifications de hFE de
O | P | Y |
5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
CONTOUR DE PAQUET