Nouveau et original silicium NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
160v
Collector-emitter voltage:
150V
tension d'Émetteur-base:
5V
Courant de collecteur:
10A
Base current:
1A
Dissipation de puissance de collecteur:
100W
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Point culminant:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduction
Silicium NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-3PN
·Complément pour dactylographier 2SB1560
·Gain actuel élevé de C.C
APPLICATIONS
·Audio, régulateur et usage universel
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | Base |
| 2 |
Collecteur ; relié à montage de la base |
| 3 | Émetteur |
CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | MINUTE | TYPE. | Max | UNITÉ |
| PRÉSIDENT DE V (BR) | Tension claque de collecteur-émetteur | IC =30mA ; IB =0 | 150 | V | ||
| VCEsat | Tension de saturation de collecteur-émetteur | IC =7A ; IB =7mA | 2,5 | V | ||
| VBEsat | Tension de saturation d'émetteur de base | IC =7A ; IB =7mA | 3,0 | V | ||
| ICBO | Courant de coupure de collecteur | IE =0 DE VCB =160V | 100 | μA | ||
| IEBO | Courant de coupure d'émetteur | VEB =5V ; IC =0 | 100 | μA | ||
| hFE | Gain actuel de C.C | IC =7A ; VCE =4V | 5000 | |||
| Épi | Capacité de sortie | IE =0 ; VCB =10V ; f=1MHz | 95 | PF | ||
| pi | Fréquence de transition | IC =2A ; VCE =12V | 55 | Mégahertz | ||
| Périodes de changement | ||||||
| tonne | Temps d'ouverture |
IC =7A ; RL =10Ω IB1 = - IB2 =7MA VCC =70V |
0,5 | μs | ||
| solides totaux | Temps d'entreposage | 10,0 | μs | |||
| tf | Temps de chute | 1,1 | μs | |||
classifications de hFE de
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
CONTOUR DE PAQUET
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Courant:
MOQ:
20pcs