Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Puce du circuit intégré 4N33, optocoupleur de PhotodarliCM GROUPon de composants de l'électronique de puissance

Puce du circuit intégré 4N33, optocoupleur de PhotodarliCM GROUPon de composants de l'électronique de puissance

fabricant:
VISHAY
Description:
Optoisolant DarliCM GROUPon avec la Manche basse 6-DIP de la sortie 5300Vrms 1
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Caractéristiques
Courant en avant continu:
60mA
Dissipation de puissance:
100 mW
Émetteur-récepteur:
3V
La température (TJ):
-55°C -- 150°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Paquet:
DIP-6
Point culminant:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introduction

Puce de circuit intégré 4N33

OPTOCOUPLEUR PHOTODARLICM GROUPON

 

RoHS pic de température de refusion nominale 245 °C Performances conformes à la norme IEEE 802.3af/ANSI X3.263 Conçu pour les applications de téléphonie ou de commutation IP

 

LISTE DES STOCKS

 

CI SN74LS244N TI 64AH70K/5ACCLLK DIP-20
CI 74HC238D 1640 POS-16
CI P8255A5 (pas L8320146) INTEL L5171029 DIP-40
IC HEF4051BT 1622+ POS-16
NUMÉRO DE SÉRIE CI
IBUTTON DS1990A-F5+
DALLAS 1631 BOUTON
CI M27C2001-10F1 ST 1211K CDIP 32
TRANS IRF540NPBF IR P632D TO-220
TRIAC BT151-500R PJA603 TO-220
CI MC908MR16CFUE FREESCAL 1341 LQFP-64
CI 74HC245DB,118 1619 SSOP-20
CI MCP130T-315I/TT PUCE ÉLECTRONIQUE PLEP SOT23-3
DIODE RGF1M-E3/67A VISHAY MR/5B SMA
CI 74HC244DB,118 1418 SSOP-20
CI 74LVC139D 1213 POS-16
CI LD1086V33 ST 829/833 TO-220
DIODE TPD4E001DBVR TI NFY5 SOT23-6
TRIAC BT151-500R PJA603 TO-220
S5M-E3/57T VISHAY 1632/5M CMS
DIODE LED VSLB3940 VISHAY 10+ DIP-2
MMBT3906LT1G SUR 1642/2A SOT-23
DIODE BAS16LT1G SUR SEMI 1640/A6 SOT-23
MBR3045CTP DIODES 1024 TO-220
GBU6M VISHAY 1510L DIP-4
GBU608 SEP 16+ DIP-4
CAPTEUR KTY11-6
Q62705-K246
  T6/S76 TO-92
CI AD590KH PUBLICITÉ 1406 CAN3
CI ICL7660CBAZ INTERSIL V1608BA POS-8
CI PC817C POINTU H41 DIP-4
TRANS TIP127 (ROHS) ST 608 TO-220
OPTO 4N25M FSC 645Q

DIP-6

 

Fonctionnalité

• Rapport de transfert de courant très élevé, 500 % min.

• Résistance d'isolement élevée, 1 011 Ω typique

• Emballage DIP en plastique standard

• Fichier du laboratoire des assureurs # E52744

• Homologations VDE #0884

 

DESCRIPTION

 

Les 4N32 et 4N33 sont des isolateurs couplés optiquement avec une LED infrarouge à l'arséniure de gallium et un capteur photodarliCM GROUPon au silicium.La commutation peut être réalisée tout en maintenant un haut degré d'isolement entre les circuits de commande et de charge.

 

Ces optocoupleurs peuvent être utilisés pour remplacer les relais reed et mercure avec les avantages d'une longue durée de vie, d'une commutation à grande vitesse et de l'élimination des champs magnétiques.

 

Notes maximales

Tension inverse de crête de l'émetteur ..................................3 V

Courant direct continu .......................60 mA

Dissipation de puissance à 25°C.....................100 mW

Déclassement linéaire à partir de 55°C.................1,33 mW/°C

Tension de claquage collecteur-émetteur du détecteur, BVCEO ...................................... ................ 30V

Tension de claquage émetteur-base, BVEBO ...................................................... .................. 8V

Tension de claquage collecteur-base, BVCBO ...................................... ............... 50V

Tension de claquage émetteur-collecteur, BVECO ......................................... .................. 5V

Collecteur (charge) Courant ..................................125 mA

Dissipation de puissance à 25°C ambiant ...........150 mW

Déclassement linéaire à partir de 25 °C ......................2,0 mW/°C

Dissipation totale du boîtier à une température ambiante de 25 °C .............250 mW

Déclassement linéaire à partir de 25 °C ......3,3 mW/°C

Tension d'essai d'isolement ................ 5300

VACRMS entre l'émetteur et le détecteur, climat standard : 23 °C/50 % HR,

Chemin de fuite DIN 50014 ...................................... 7 mm min.

Trajectoire aérienne .................................................. ... 7mm min.

 

PRODUITS CONNEXES
Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08

Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08

Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal

GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal

Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V

Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V

275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY

La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY

P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF

résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF

18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin

MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin

1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150

Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150

150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre

Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre

390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
Anti soufre 2/5W 0204 2,2 KOhms de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W

Anti soufre 2/5W 0204 2,2 KOhms de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W

2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Image partie # Description
Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08

Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08

Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal

GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal

Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V

Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V

275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY

La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY

P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF

résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF

18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin

MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin

1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150

Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150

150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre

Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre

390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
Anti soufre 2/5W 0204 2,2 KOhms de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W

Anti soufre 2/5W 0204 2,2 KOhms de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W

2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs