Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V
fabricant:
VISHAY
Description:
275V bâti extérieur DO-214AA (SMBJ) de diode de la bride 2.2A PIP TV
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
To be negotiated
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
PN:
SMBJ170A-E3/52
Marques:
VISHAY
Original:
États-Unis
Puissance de crête des impulsions :
600W
Tension d'impasse:
17V
Le paquet:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
Point culminant:
600W Peak Pulse Power Transistors
,17V Peak Pulse Power Transistors
,SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors
Introduction
SMBJ170A-E3/52 Puissance maximale de l'impulsion 600WVoltage d'arrêt 17V VISHAY
Caractéristiques
L'affaire DO-214AA/SMB
Pour les applications montées en surface afin d'optimiser l'espace des cartes.
Polarité: bande de couleur désignant l'extrémité positive (cathode), sauf bidirectionnelle.
Le mode de défaillance typique est court de tension ou de courant sur-spécifié
Le solde à haute température: 260°C/10 secondes aux bornes.
¢Terminaux: soudés, soudables selon la norme MIL-STD-750, méthode 2026.
Informations générales
La série SMB-H est conçue pour protéger les composants sensibles à la tension
Ils ont une excellente capacité de serrage, une haute
La série SMB-H est conçue pour être utilisée dans les systèmes de surveillance de l'environnement.
Il s'agit d'un produit exclusif de YINT Semiconductor, rentable, hautement fiable et
idéalement adapté à une utilisation dans les systèmes de communication, les systèmes de commande numérique,
Il s'agit d'un outil de contrôle des processus, d'équipements médicaux, de machines d'affaires, d'aliments électriques et bien d'autres
autres applications industrielles ou de consommation.
Applications
Les dispositifs TVS sont idéaux pour la protection des interfaces E/S,
Bus VCC et autres circuits vulnérables utilisés dans les télécommunications, l'informatique, l'industrie
et les applications électroniques de consommation.
Les États membres
1. impulsion de courant non répétitive, par graphe de forme d'onde d'impulsion et dégradée au-dessus de TA = 25 °C par courbe de dégradation d'impulsion.
2La jonction de résistance thermique au plomb.
3. 8,3 ms cycle de fonctionnement d'onde de demi-sinus unique = 4 impulsions maximum par minute (unités unidirectionnelles uniquement).
4Pour les charges capacitives, déduire de 20% le courant courant courant.
5. VF < 3,5 V pour les VBR < 200 V et VF < 5,0 V pour les VBR > 201 V.
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Courant:
MOQ:
10pcs