Puce du circuit intégré 4N33, optocoupleur de PhotodarliCM GROUPon de composants de l'électronique de puissance
electronics ic chip
,integrated circuit components
Puce de circuit intégré 4N33
OPTOCOUPLEUR PHOTODARLICM GROUPON
RoHS pic de température de refusion nominale 245 °C Performances conformes à la norme IEEE 802.3af/ANSI X3.263 Conçu pour les applications de téléphonie ou de commutation IP
LISTE DES STOCKS
CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
CI 74HC238D | 1640 | POS-16 | |
CI P8255A5 (pas L8320146) | INTEL | L5171029 | DIP-40 |
IC HEF4051BT | 1622+ | POS-16 | |
NUMÉRO DE SÉRIE CI IBUTTON DS1990A-F5+ |
DALLAS | 1631 | BOUTON |
CI M27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
TRANS IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
CI MC908MR16CFUE | FREESCAL | 1341 | LQFP-64 |
CI 74HC245DB,118 | 1619 | SSOP-20 | |
CI MCP130T-315I/TT | PUCE ÉLECTRONIQUE | PLEP | SOT23-3 |
DIODE RGF1M-E3/67A | VISHAY | MR/5B | SMA |
CI 74HC244DB,118 | 1418 | SSOP-20 | |
CI 74LVC139D | 1213 | POS-16 | |
CI LD1086V33 | ST | 829/833 | TO-220 |
DIODE TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
TRIAC BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
S5M-E3/57T | VISHAY | 1632/5M | CMS |
DIODE LED VSLB3940 | VISHAY | 10+ | DIP-2 |
MMBT3906LT1G | SUR | 1642/2A | SOT-23 |
DIODE BAS16LT1G | SUR SEMI | 1640/A6 | SOT-23 |
MBR3045CTP | DIODES | 1024 | TO-220 |
GBU6M | VISHAY | 1510L | DIP-4 |
GBU608 | SEP | 16+ | DIP-4 |
CAPTEUR KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
CI AD590KH | PUBLICITÉ | 1406 | CAN3 |
CI ICL7660CBAZ | INTERSIL | V1608BA | POS-8 |
CI PC817C | POINTU | H41 | DIP-4 |
TRANS TIP127 (ROHS) | ST | 608 | TO-220 |
OPTO 4N25M | FSC | 645Q |
DIP-6 |
Fonctionnalité
• Rapport de transfert de courant très élevé, 500 % min.
• Résistance d'isolement élevée, 1 011 Ω typique
• Emballage DIP en plastique standard
• Fichier du laboratoire des assureurs # E52744
• Homologations VDE #0884
DESCRIPTION
Les 4N32 et 4N33 sont des isolateurs couplés optiquement avec une LED infrarouge à l'arséniure de gallium et un capteur photodarliCM GROUPon au silicium.La commutation peut être réalisée tout en maintenant un haut degré d'isolement entre les circuits de commande et de charge.
Ces optocoupleurs peuvent être utilisés pour remplacer les relais reed et mercure avec les avantages d'une longue durée de vie, d'une commutation à grande vitesse et de l'élimination des champs magnétiques.
Notes maximales
Tension inverse de crête de l'émetteur ..................................3 V
Courant direct continu .......................60 mA
Dissipation de puissance à 25°C.....................100 mW
Déclassement linéaire à partir de 55°C.................1,33 mW/°C
Tension de claquage collecteur-émetteur du détecteur, BVCEO ...................................... ................ 30V
Tension de claquage émetteur-base, BVEBO ...................................................... .................. 8V
Tension de claquage collecteur-base, BVCBO ...................................... ............... 50V
Tension de claquage émetteur-collecteur, BVECO ......................................... .................. 5V
Collecteur (charge) Courant ..................................125 mA
Dissipation de puissance à 25°C ambiant ...........150 mW
Déclassement linéaire à partir de 25 °C ......................2,0 mW/°C
Dissipation totale du boîtier à une température ambiante de 25 °C .............250 mW
Déclassement linéaire à partir de 25 °C ......3,3 mW/°C
Tension d'essai d'isolement ................ 5300
VACRMS entre l'émetteur et le détecteur, climat standard : 23 °C/50 % HR,
Chemin de fuite DIN 50014 ...................................... 7 mm min.
Trajectoire aérienne .................................................. ... 7mm min.

Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08

GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal

Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V

La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY

VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL

résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF

MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin

Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150

Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre
