Filtres
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Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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PDZ3.3B,115 Diode haute tension Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode Zener 3,3 V 400 mW ±2%
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Nexperia
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PMLL4448,135 Diode haute puissance Nouveau et original |
Bâti extérieur LLDS de la diode 75 V 200mA ; MiniMelf
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Nexperia
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BAW56S,135 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires d'anodes communes 90 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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BC807,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 500 mA 80MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCP52-16 RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 50MHz 1,4 W
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STMicroelectronics
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BCP54-16E6433 Réserves nouvelles et originales |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un bâti extérieur SOT-223 de 100MHz 2 W
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Infineon
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BCP54-16-TP RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un 100MHz bâti extérieur SOT-223 de 300 mW
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Produit de fabrication
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BCP5416TA stock nouveau et original |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 45 V 1 un bâti extérieur SOT-223-3 de 150MHz 2 W
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DIODES
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VS-ETH1506-M3 Transistor à effet de champ à porte isolée Nouveau et original |
Diode 600 V 15A par le trou TO-220AC
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VISHAY
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10CTQ150 VISHAY Transistors à haute puissance Mosfet Nouveau certificat ROHS original |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 5A par le trou TO-220-3
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VISHAY
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Logo du transistor à effet de champ standard ROHS IRLR024NTRPBF personnalisé |
Bâti D-PAK de la surface 45W (comité technique) du N-canal 55 V 17A (comité technique)
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Infineon
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Transistor à effet de champ de précision homologué ROHS SIHW30N60E-GE3 |
N-canal 600 V 29A (comité technique) 250W (comité technique) par le trou TO-247AD
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VISHAY
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BAT54A Réserve neuve et originale |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 30 V 200mA de 1 paire
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Fairchild
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BAT54C ÉTANTS NOUS ET ORIGINALS |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la cathode 30 V 200mA de 1 paire
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BAT54S ÉVÉNEMENT NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur TO-236-3, SC-59, référence de la connexion de série de 1 paire 30 V 2
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Semi-conducteurs à arc de bonne qualité
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BAT54SW RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur SC-70, SOT-323 de la connexion de série de 1 paire 30 V 200mA
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Semi-conducteur de Diotec
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BAT54SW RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti SC-70, SOT-323 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 200mA (C.C)
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BAT54W ÉTANTS NOUS et originaux |
Bâti extérieur SOT-323 de la diode 30 V 200mA
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Semi-conducteur de Diotec
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BAT54W ÉTANTS NOUS et originaux |
Bâti extérieur SOT-323 de la diode 30 V 200mA
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BAT721C,215 Réserve neuve et originale |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 40 V 200mA (C.C) de 1
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Nexperia
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BAT721S,215 Réserve neuve et originale |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 40 V 2
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NXP
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BAT721S_R1_00001 Réserves nouvelles et originales |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 40 V 2
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Produit de fabrication
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BAT721S,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 40 V 2
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Nexperia
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BAT74,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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BAT74,235 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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NXP
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BAT74S/S500X Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur TO-253-4, TO-253AA de la rangée 30 V de diode
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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BAT74S,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Nexperia
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BAT754S,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 2
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Nexperia
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BAT 754L,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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Nexperia
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BAT760Z Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 20 V 1A Montage en surface SOD-323
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Nexperia
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BAT760Q-7 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 30 V 1A
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DIODES
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BAT 760,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 20 V 1A Montage en surface SOD-323
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Nexperia
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BAV102 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-80 de la diode 150 V 200mA
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On Semi / Catalyseur Semi
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BAV170 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 85 V 125mA (C.C) de 1
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DIODES
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BAV170 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 85 V 125mA (C.C) de 1
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Nexperia
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 200 V 200mA par le trou DO-35
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On Semi / Catalyseur Semi
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 150 V 200mA par le trou DO-35
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DIODES
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 200 V 200mA par le trou DO-35
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Semi-conducteur de Diotec
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Transistor à effet de champ BAV20 |
Diode 150 V 250 mA Traversant DO-35
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Semi-conducteur de Diotec
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Transistor à effet de champ BAV21 NEW AND ORIGINAL |
Diode 250 V 200mA par le trou DO-35
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On Semi / Catalyseur Semi
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BC846B Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-23 de 200 mW
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Taïwan Semiconductor Corporation
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BC846BW Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire NPN 65 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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Semi-conducteur de Diotec
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BAT54CW RÉSERVE NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti extérieur commun SC-70, SOT-323 de la cathode 30 V 200mA de 1 paire
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Semi-conducteur de Diotec
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GRM1555C1H390JA01D Condensateur MLCC Nouveau et original |
39 condensateur en céramique de PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métriques)
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Murata
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GRM1555C1H471GA01D Condensateur MLCC Nouveau et original |
470 condensateur en céramique de PF ±2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métriques)
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Murata
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GRM1555C1H470JA01D Condensateur MLCC Nouveau et original |
47 condensateur en céramique de PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métriques)
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Murata
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GRM1555C1H431JA01D Condensateur MLCC Nouveau et original |
430 condensateur en céramique de PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métriques)
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Murata
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GRM1555C1H430JA01D Condensateur MLCC Nouveau et original |
43 condensateur en céramique de PF ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métriques)
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Murata
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