Filtres
Filtres
Puces électroniques d'IC
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5215TRPBF |
Canal N 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Montage en surface PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFHM830TRPBF |
Canal N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN-Dual (3,3 x 3,3)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5015TRPBF |
Canal N 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH4253DTRPBF |
Mosfet Array 25V 64A, 145A 31W, 50W Montage en surface PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-20CTQ150PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 150 V 10 A Trou traversant TO-220-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPQ100PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5010TRPBF |
Canal N 100 V 13 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPH03PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 300 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPQ150PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 150 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF4905STRLPBF |
Bâti D2PAK de la surface 170W (comité technique) du P-canal 55 V 42A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF4905PBF |
P-canal 55 V 74A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF4104SPBF |
Canal N 40 V 75 A (Tc) 140 W (Tc) Montage en surface D2PAK
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH7440TRPBF |
Canal N 40 V 85 A (Tc) 104 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFBC20PBF |
Canal N 600 V 2,2 A (Tc) 50 W (Tc) Traversant TO-220AB
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFP90N20DPBF |
Canal N 200 V 94 A (Tc) 580 W (Tc) Traversant TO-247AC
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFB42N20DPBF |
N-canal 200 V 44A (comité technique) 2.4W (merci), 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SI4166DY-T1-GE3 |
Canal N 30 V 30,5 A (Tc) 3 W (Ta), 6,5 W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5300TRPBF |
Canal N 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SI5855CDC-T1-E3 |
Canal P 20 V 3,7 A (Tc) 1,3 W (Ta), 2,8 W (Tc) Montage en surface 1206-8 ChipFET™
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ100PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 20 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ060PBF |
Matrice de diodes 1 paire cathode commune 60 V 20 A trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-40CPQ100-N3 |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 40 A Trou traversant TO-247-3
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VISHAY
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8729TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 55W (comité technique) du N-canal 30 V 58A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8743TRPBF |
Canal N 30 V 160 A (Tc) 135 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR3410TRPBF |
Canal N 100 V 17 A (Tc) 79 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR7843TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 140W (comité technique) du N-canal 30 V 161A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR2905TRPBF |
Canal N 55 V 42 A (Tc) 110 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR3114ZTRPBF |
Canal N 40 V 42 A (Tc) 140 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR8726TRPBF |
Bâti D-PAK de la surface 75W (comité technique) du N-canal 30 V 86A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR2905ZTRPBF |
Canal N 55 V 42 A (Tc) 110 W (Tc) Montage en surface D-Pak
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRLR9343TRPBF |
Bâti PG-TO252-3 de la surface 79W (comité technique) du P-canal 55 V 20A (comité technique)
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQG15HSR22J02D |
Inductance multicouche non blindée 220 nH 120 mA 3,77 Ohm Max 0402 (1005 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH2MCN100K02L |
Noyau de tambour non blindé 10 µH, inductance bobinée 225 mA 1,56 Ohm Max 0806 (2016 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH2MCN220K02L |
Noyau de tambour non blindé 22 µH, inductance bobinée 185 mA 2,73 Ohm Max 0806 (2016 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH2MCN4R7M02L |
Noyau de tambour non blindé 4,7 µH, inductance bobinée 300 mA 1,04 Ohm Max 0806 (2016 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN100K23L |
10 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 300 mA 572 mOhm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN1R0M23L |
1 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 800 mA 117 mOhm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN1R0M33L |
Noyau de tambour non blindé 1 µH, inductance bobinée 1 A 78 mOhm max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN221K23L |
220 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 70 mA 10,92 Ohm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN4R7M23L |
4,7 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 450 mA 260 mOhm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32MN1R0M23L |
1 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 445 mA 500 mOhm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32PN100MN0L |
Noyau de tambour blindé 10 µH, inductance bobinée 700 mA 456 mOhm max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN470K53L |
47 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 170 mA 1,69 Ohm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32CN4R7M33L |
4,7 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 650 mA 195 mOhm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32MN101J23L |
100 µH Noyau de tambour non blindé, Inductance bobinée 80 mA 7 Ohm Max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32PN2R2NN0L |
Noyau de tambour blindé 2,2 µH, inductance bobinée 1,6 A 91,2 mOhm max Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH32PN4R7NN0L |
Noyau de tambour blindé 4,7 µH, inductance bobinée 1 A 180 mOhm Non standard
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH3NPN100MM0L |
Noyau de tambour blindé 10 µH, inductance bobinée 870 mA 312 mOhm Max 1212 (3030 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH3NPN1R0NG0L |
Noyau de tambour blindé 1 µH, inductance bobinée 1,525 A 96 mOhm Max 1212 (3030 métrique)
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Produit de fabrication
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE LQH3NPN4R7MM0L |
Noyau de tambour blindé 4,7 µH, inductance bobinée 1,25 A 156 mOhm max. 1212 (3030 métrique)
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Produit de fabrication
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