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| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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PIMN31,115 Transistor équipé de résistance NPN / PNP 500 MA 50V Transistor à double porte |
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) 2 NPN - pré-biasé (double) 50V 500mA 420mW Monture de surface 6
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BAT120C,115 Réserve neuve et originale |
Rangée de diode bâti commun TO-261-4, TO-261AA de surface de la cathode 25 V 1A (C.C) de 1 paire
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BCP51-16,115 FOUTE neuve et originale |
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 1 W Monture de surface SOT-223
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2N7002BKS, 115 STOCK NEUF ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP de la surface 295mW de la rangée 60V 300mA (ventres) de transistor MOSFET
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74LVC2G66GD,125 stock nouveau et original |
2 1:1 10Ohm 8-XSON (2x3) de commutateur d'IC de circuit
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74LVC74APW, 118 stock neuf et original |
L'élément 1 de type d de Flip Flop 2 a mordu le bord positif 14-TSSOP (0,173", la largeur de 4.40mm)
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74LVT14PW,112 stock nouveau et original |
Déclencheur 14-TSSOP de Schmitt de la Manche d'IC 6 d'inverseur
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74LVT14PW, 118 stock nouveau et original |
Déclencheur 14-TSSOP de Schmitt de la Manche d'IC 6 d'inverseur
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74AVC8T245PW:112 IC de mémoire flash Nouveau et original |
Émetteur-récepteur de traduction 1 élément 8 bits par élément Sortie à 3 états 24-TSSOP
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PHD97NQ03LT,118 Diode à puce neuve et originale |
Bâti DPAK de la surface 107W (comité technique) du N-canal 25 V 75A (comité technique)
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Diode à puce BCV47-QVL NOUVEAUTE et originaire |
Transistor (BJT) bipolaire NPN - Darlington 60 V 500 mA bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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PMN45EN,135 Diode à puce NOUVEAUTE et d'origine |
Bâti 6-TSOP de la surface 1.75W (comité technique) du N-canal 30 V 5.2A (comité technique)
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BC857W-QF Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 100 mA 100MHz bâti extérieur SOT-323 de 200 mW
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PESD5V0F1BL,315 Diode haute tension Nouveau et original |
15V bâti extérieur DFN1006-2 de diode de la bride 2.5A (8/20µs) PIP TV
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PUMT1 Diode à puce NOUVEAUTE et originale |
Bâti extérieur bipolaire 6-TSSOP de la rangée 2 PNP (double) 40V 100mA 100MHz 300mW du transistor (B
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BAV70SRAZ Diode à puce Nouveau et original |
La rangée de diode 2 le bâti commun 6-XFDFN de surface de la cathode 100 V 355mA (C.C) de paires a e
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BZA968A,115 Diode à courant élevé Nouveau et original |
Bâti extérieur SOT-665 de diode de la bride PIP TV
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BAT120C,115 Diode haute tension neuve et d'origine |
Rangée de diode bâti commun TO-261-4, TO-261AA de surface de la cathode 25 V 1A (C.C) de 1 paire
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PDZ3.3B,115 Diode haute tension Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode Zener 3,3 V 400 mW ±2%
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PMLL4448,135 Diode haute puissance Nouveau et original |
Bâti extérieur LLDS de la diode 75 V 200mA ; MiniMelf
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BAW56S,135 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires d'anodes communes 90 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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BC807,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 500 mA 80MHz bâti extérieur TO-236AB de 250 mW
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BAT721C,215 Réserve neuve et originale |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 40 V 200mA (C.C) de 1
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BAT721S,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 40 V 2
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BAT74,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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BAT74,235 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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BAT74S/S500X Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur TO-253-4, TO-253AA de la rangée 30 V de diode
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BAT74S,135 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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BAT74S,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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BAT754S,215 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Rangée de diode bâti TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la connexion de série de 1 paire 30 V 2
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BAT 754L,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de surface de l'indépendant 30 V 200mA (C.C) de la rangée 3 de diode
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BAT760Z Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 20 V 1A Montage en surface SOD-323
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BAT 760,115 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Diode 20 V 1A Montage en surface SOD-323
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BAV170 Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode bâti commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de surface de la cathode 85 V 125mA (C.C) de 1
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BCX53,146 Diode à puce NOUVEAUTE ET ORIGINALE |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 80 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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1PS76SB40,135 Diode à courant élevé Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-323 de la diode 40 V 120mA
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PESD12VS1UL,315 Diode à puce neuve et originale |
35V bâti extérieur DFN1006-2 de diode de la bride 5A (8/20µs) PIP TV
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PHK31NQ03LT Diode à puce NOUVEAUTE et originale |
Rangée de transistor MOSFET
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PDZ10BGWX Diode haute puissance Nouveau et original |
Bâti extérieur SOD-123 de la diode Zener 10 V 365 mW ±2.2%
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BAV23,235 Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 200 V 225mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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BAV23,215 Transistor à effet de champ |
Bâti TO-253-4, TO-253AA de surface de l'indépendant 200 V 225mA (C.C) de la rangée 2 de diode
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Transistor à effet de champ BAV23A-QR |
Rangée de diode bâti extérieur commun TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de l'anode 200 V 225mA de 1 paire
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BAV70S,115 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 2 paires de cathodes communes 100 V 250 mA (CC) Montage en surface 6-TSSOP, SC-88,
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BCX51-10F stock neuf et original |
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Montage en surface SOT-89
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,135 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10TF |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 A bâti extérieur SOT-89 de 500 mW
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX51-16,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 45 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE BCX52-10,115 |
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 1 un bâti extérieur SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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BAV23A,215 Transistor à effet de champ |
Réseau de diodes 1 paire Anode commune 200 V 225mA (DC) Montage en surface TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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