VISHAY
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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Diode de commutation rapide de cas de RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08 |
Bâti extérieur SOD-123 de la diode 75 V 150mA
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GAZON de LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodes de Schottky de signal |
Bâti extérieur SOD-80 MiniMELF de la diode 30 V 200mA
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Tension VISHAY d'impasse de la puissance de crête des impulsions SMBJ170A-E3/52 600W 17V |
275V bâti extérieur DO-214AA (SMBJ) de diode de la bride 2.2A PIP TV
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IRFP9240 Réducteur de diode P à usage général avec 150 W à travers le trou |
P-canal 200 V 12A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-247AC
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La Manche IRFP9240PBF du transistor MOSFET 12A 200V P de puissance de TO-247 VISHAY |
P-canal 200 V 12A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-247AC
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VO1400AEFTR Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
SPST-NO à semi-conducteur (1 forme A) 4-SOP (0,173", 4.40mm)
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VS-60CPQ150PBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 30A par le trou TO-247-3
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VS-36MB160A Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Norme monophasé de pont redresseur terminal D-34 de QC de 1,6 kilovolts
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IRF640PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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IRF620PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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MBRB10100-E3/8W Nouveau et original |
Le diode 100 V 10A est monté sur la surface TO-263AB (D2PAK)
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-HFA25PB60PBF |
La diode 600 V 25A par le trou TO-247AC a modifié
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE TCMT1107 |
Le transistor d'optoisolant a produit 3750Vrms 1 la Manche 4-SOP
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 1N5245B-TAP |
Diode Zener 15 V 500 mW ±5% par le trou DO-35 (DO-204AH)
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SUD17N25-165-E3 |
N-canal 250 V 17A (comité technique) 3W (merci), bâti TO-252AA de la surface 136W (comité technique)
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IRF620PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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VS-63CPQ100PBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Diode 1 paire cathode commune 100 V 30A à travers le trou TO-247-3
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IRF9540PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 19A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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IRF9640STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 3W (merci), 125W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D de
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IRF9630PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 6.5A (comité technique) 74W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Transistor à effet de champ VS-ETH1506S-M3 NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur TO-263AB (² PAK de la diode 600 V 15A de D)
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VO0630T Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Optoisolator de sortie logique 10MBd à débit ouvert 4000Vrms 2 canaux 1kV/μs CMTI 8-SOIC
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IRF640PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-HFA25TB60PBF |
Diode 600 V 25A par le trou TO-220AC
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PDTC144ET Diode à puce NOUVEAUTE et d'origine |
Transistors bipolaires pré-biasés (BJT)
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V40150C-E3/4W Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Rangée de diode cathode commune de 1 paire 150 V 20A par le trou TO-220-3
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF830BPBF |
N-canal 500 V 5.3A (comité technique) 104W (comité technique) par le trou TO-220AB
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE S3D-E3/57T |
Bâti extérieur DO-214AB (SMC) de la diode 200 V 3A
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SI3456DDV-T1-GE3 |
N-canal 30 V 6.3A (comité technique) 1.7W (merci), bâti 6-TSOP de la surface 2.7W (comité technique)
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SUP85N03-04P-E3 |
N-canal 30 V 85A (comité technique) 3.75W (merci), 166W (comité technique) par le trou TO-220AB
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SIR688DP-T1-GE3 Transistor à effet de champ |
N-canal 60 V 60A (comité technique) 5.4W (merci), bâti PowerPAK® SO-8 de la surface 83W (comité tech
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BYG10M-E3/TR Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Bâti extérieur DO-214AC (SMA) de la diode 1000 V 1.5A
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE SMAJ48A-E3/61 |
77.4V bâti extérieur DO-214AC (SMA) de diode de la bride 5.2A PIP TV
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE P6SMB24A-E3/52 |
33.2V Pince 18.1A Ipp Tvs Diode Montage en surface DO-214AA (SMB)
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VS-EPH3006-F3 stock nouveau et original |
Diode 600 V 30A Traversant TO-247AC Modifié
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE 43CTQ100 |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 20 A Trou traversant TO-220-3
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPQ100PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 100 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-30CPH03PBF |
Matrice de diodes 1 paire de cathodes communes 300 V 15 A Trou traversant TO-247-3
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ACTIONS de transistor à effet de champ SI7615ADN-T1-GE3 NOUVELLES ET ORIGINALES |
P-canal 20 V 35A (comité technique) 3.7W (merci), bâti 52W (comité technique) extérieur PowerPAK® 12
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP264PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 250 V 38A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP460LCPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 20A (comité technique) 280W (comité technique) par le trou TO-247AC
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRFP22N50APBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
N-canal 500 V 22A (comité technique) 277W (comité technique) par le trou TO-247AC
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRF840STRLPBF |
N-canal 500 V 8A (comité technique) 3.1W (merci), 125W (comité technique) ² PAK (TO-263) du bâti D d
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-ETX0806FP-M3 |
Diode 600 V 8A par le plein paquet du trou TO-220-2
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS DE VS-ETU1506FP-M3 |
Diode 600 V 15A par le plein paquet du trou TO-220-2
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résistances MMB02070C1802FB200 de 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-soufre, la couche AEC-Q200 mince des véhicules à moteu
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MMB02070C1004FB200 statut actif de pièce d'anti film du soufre SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-soufre, la couche AEC-Q200 mince des véhicules à moteur
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Résistance de film métallique de KOhms ±1% MELF 0207 de la résistance à couche mince MMB02070C1503FB200 150 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-soufre, la couche AEC-Q200 mince des véhicules à mote
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Résistance de l'ohm 390k de SMM02040C3903FB300 MELF 0204, résistance de ballast des véhicules à moteur d'anti soufre |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-soufre, AEC-Q200 des véhicules à moteur, imp
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Anti soufre 2/5W 0204 2,2 KOhms de MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2,2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-soufre, la couche AEC-Q200 mince des véhicule
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