Infineon
| Image | partie # | Description | fabricant | Courant | RFQ | |
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300W-500W commutateur de l'amplificateur TO-220 IRFB4227PBF PDP |
N-canal 200 V 65A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
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IGBT 600V 22A 156W a isolé le transistor bipolaire IRGB10B60KDPBF de porte |
IGBT TNP 600 V 22 A 156 W par le trou TO-220AB
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGIB10B60KD1P NOUVELLES ET ORIGINALES |
IGBT TNP 600 V 16 A 44 W par le trou TO-220AB Plein-PAK
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Transistor à effet de champ IRGP35B60PDPBF |
IGBT TNP 600 V 60 A 308 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP20B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
IGBT TNP 600 V 40 A 220 W par le trou TO-247AC
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Infineon
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGB6B60KDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
IGBT TNP 600 V 13 A 90 W par le trou TO-220AB
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP50B60PD1PBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
IGBT TNP 600 V 75 A 390 W par le trou TO-247AC
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ACTIONS de transistor à effet de champ d'IRGP50B60PDPBF NOUVELLES ET ORIGINALES |
IGBT TNP 600 V 75 A 370 W par le trou TO-247AC
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor à effet de champ |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur IGBT de 600 V 28 A 100 W.
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRFH5300TRPBF |
Canal N 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
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IRFIZ44NPBF Transistor à effet de champ |
N-canal 55 V 31A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB Plein-PAK
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IRF640NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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IRF6665TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande de la même puissance.
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 150 V 2,2 A (Ta) 2,5 W (Ta) Monture de surface 8-SO
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IRF6638TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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IRF6218STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
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IRF630NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 9.3A (comité technique) 82W (comité technique) par le trou TO-220AB
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IRF6620TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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Infineon
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IRF630NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Monture de surface D2PAK
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Infineon
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IRF640NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti D2PAK de la surface 150W (comité technique) du N-canal 200 V 18A (comité technique)
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XC161CJ16F40FBBKXUMA1 Nouveau et original |
C166SV2 XC16x Microcontrôleur IC 16 bits 40MHz 128KB (128K x 8) FLASH PG-TQFP-144-7
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BA595E6327 Puce IC électronique neuve et originale |
Le code PIN de la diode RF est unique 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'AUIR3200STR |
Conducteur du côté haut IC Non-Inverting PG-DSO-8-904 de porte
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2011STRPBF |
Conducteur du côté haut ou du côté bas IC Inverting 8-SOIC de porte
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2085STRPBF |
Le conducteur IC RC de porte de Moitié-pont a entré le circuit 8-SOIC
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2010STRPBF |
Conducteur IC Non-Inverting 16-SOIC de porte de Moitié-pont
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRL1404PBF |
N-canal 40 V 160A (comité technique) 200W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IRGI4061DPBF |
Fossé 600 V 20 A 43 W d'IGBT par le trou TO-220AB
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Infineon
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NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'AUIRFS4010-7TRL |
Bâti D2PAK (7-Lead) de la surface 380W (comité technique) du N-canal 100 V 190A (comité technique)
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Infineon
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IRF6638TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur est équipé d'un moteur à induction à haute vitesse.
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 9.3A (comité technique) 82W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF630NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Monture de surface D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande de la même puissance.
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 150 V 2,2 A (Ta) 2,5 W (Ta) Monture de surface 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.
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Infineon
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IRF640NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
N-canal 200 V 18A (comité technique) 150W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 79W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 23A (comité technique) 3.1W (merci), bâti D2PAK de la surface 110W (comité technique)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 8A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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IRF9640PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 200 V 11A (comité technique) 125W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti extérieur 8-SO de la rangée 30V 9.2A 2W de transistor MOSFET
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Infineon
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IRF9Z24NSTRLPBF Transistor à effet de champ |
P-canal 55 V 12A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 45W (comité technique)
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Infineon
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IRF9Z34NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 55 V 19A (comité technique) 68W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 100 V 14A (comité technique) 3.8W (merci), bâti D2PAK de la surface 79W (comité technique)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
P-canal 55 V 12A (comité technique) 45W (comité technique) par le trou TO-220AB
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Infineon
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IRF9310TRPBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 20A (comité technique) 8-SO
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Infineon
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IRS2113PBF Transistor à effet de champ NOUVEAU ET ORIGINAL |
Conducteur IC Non-Inverting 14-DIP de porte de Moitié-pont
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IRS2110PBF Transistor à effet de champ Nouveau et original |
Conducteur IC Non-Inverting 14-DIP de porte de Moitié-pont
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IRG4BC30KDPBF Transistor à effet de champ |
IGBT 600 V 28 A 100 W par le trou TO-220AB
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Infineon
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