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Maison > produits > Puce d'IC de mémoire instantanée > Programme IC Chip Memory IC de composants de l'électronique de PESD5V0S2BT Sot-23

Programme IC Chip Memory IC de composants de l'électronique de PESD5V0S2BT Sot-23

Programme IC Chip Memory IC de composants de l'électronique de PESD5V0S2BT Sot-23
Programme IC Chip Memory IC de composants de l'électronique de PESD5V0S2BT Sot-23
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
14V bâti extérieur TO-236AB de diode de la bride 12A (8/20µs) PIP TV
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
– 40°C à +125°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
5V
Actuel:
5A
Paquet:
SOT-23
Paquet d'usine:
Bobine
Point culminant:

chip in electronics

,

integrated components

Introduction

Programme IC Chip Memory IC de composants de l'électronique de PESD5V0S2BT Sot-23

PESD5V0S2BT

Diode bidirectionnelle de protection d'ESD de double de basse capacité en paquet SOT23

1,1 description générale

Diode bidirectionnelle de protection d'ESD de double de basse capacité dans le petit paquet SOT23 en plastique conçu pour protéger 2 lignes de données contre les dommages provoqués par l'électro décharge statique (ESD) et d'autres coupures.

1,2 caractéristiques

■Protection bidirectionnelle d'ESD de 2 lignes

■Basse capacité de diode

■Puissance de crête des impulsions maximale : PPA = 130 W à tp = 8/20 de µs

■Basse tension de fixage : VCL (R) = 14 V à PIP = 12 A

■Courant très réduit de fuite : IRM = Na 5 à VRWM = 5 V

■Protection d'ESD > 30 kilovolts

■Le CEI 61000-4-2 ; niveau 4 (ESD)

■IEC-61000-4-5 (montée subite) ; PIP = 12 A à tp = 8/20 de µs.

1,3 applications

■Combinés et accessoires cellulaires

■L'électronique portative

■Ordinateurs et périphériques

■Systèmes de communication

■Audio et matériel vidéo.

CAPACITÉS ABSOLUES (1)

Tension d'impasse d'inverse de VRWM - 5 - V

Capacité de diode de Cd f = 1 mégahertz ; VR =0V - 35 - PF


UNE PARTIE DES ACTIONS

TRANS. FDS9435A 1500 FSC 15+ SOP-8
DIODO MMBD4148,215 300000 15+ SOT23-3
C.I L7805CD2T-TR 2500 St 14+ D2PAK
FDS6990A 1500 FSC 15+ SOP-8
NDS9952A 1500 FSC 15+ SOP-8
SN65HVD485EDR 1500 TI 16+ SOP-8
SMBJ8.5CA 7500 VISHAY 16+ SMB
PIC24FJ16GA004-I/PT 1500 PUCE 13+ TQFP-44
C.I TLC072CDGNR 5000 TI 05+ MSOP-8
C.I SN74LS374N 2000 TI 15+ DIP-20
TRANS. BC817-16LT1G 300000 SUR 12+ SOT-23
C.I TL074CN 1000 TI 12+ DIP-14
OPTOACOPLADOR MOC3063SM 20000 FSC 14+ SOP-6
TRIAC BT151-500R 300000 16+ TO-220
C.I MM74HC164MX 25000 FSC 05+ SOP-14
C.I WS79L05 100000 LE WS 16+ TO-92
RECHERCHE RL1206FR-070R75L 100000 YAGEO 16+ SMD1206
RECHERCHE RC1206FR-071R5L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RECHERCHE RC1206FR-071R2L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RECHERCHE RL1206FR-070R68L 1000000 YAGEO 16+ SMD1206
RECHERCHE RC0402FR-0722KL 3000000 YAGEO 16+ SMD0402
RECHERCHE RC0402FR-0756RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RECHERCHE RC0402FR-0724RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RECHERCHE RC1206JR-072ML 500000 YAGEO 16+ SMD1206
PAC 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE 600000 SAMSUNG 16+ SMD1206

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Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
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