Amplificateur opérationnel IC IC Chips Small Scale Dual Low de bruit électronique de NE5532P
Puces électroniques de NE5532P IC
,Puces électroniques de NE5532P IC
,Amplificateur opérationnel à faible bruit IC
Les composants de l'électronique de NE5532P ébrèchent l'électronique d'IC
DOUBLES AMPLIFICATEURS OPÉRATIONNELS À FAIBLE BRUIT
Une partie du bulletin de la cote
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
| PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
CARACTÉRISTIQUES
Type équivalent de la tension 5 nV/√Hz de bruit d'entrée à 1 kilohertz ?
Largeur de bande d'Unité-gain… 10 mégahertz de type ?
Type du DB 100 de rapport de rejet de Commun-mode…
? Gain élevé de tension CC… type de 100 V/mV ?
Type de crête à crête de l'oscillation 32 V de tension de sortie
Avec VCC± = ±18 V et RL = Ω 600
? Taux de groupe élevé… type de 9 V/µs ?
Grand choix… ±3 V d'Approvisionnement-tension à ±20 V
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Les familles de K6X8008C2B sont fabriquées par SAMSUNG¢s ont avancé la pleine technologie transformatrice de CMOS. Les familles soutiennent la diverse gamme de température de fonctionnement pour la flexibilité d'utilisateur de la conception de système. Les familles soutiennent également la basse tension de conservation de données pour l'opération de support de batterie avec la basse conservation de données actuelle.
Capacités absolues
Tension d'alimentation (voir note 1) : VCC+……………………… 22 V
Tension d'entrée, ou entrée (voir notes 1 et 2) VCC±…. -22V
Courant d'entrée (voir la note 3)……………………. ±10 mA
Durée de court-circuit de sortie (voir l'impédance thermique…………… de paquet illimité de la note 4),
θJA (voir les notes 5 et 6) : Paquet 97 de D………………………. °C/W
Paquet 85 de P………………………. °C/W PICOSECONDE
paquet 95……………………… °C/W
La température de jonction virtuelle fonctionnante, TJ 150°C
Température ambiante de température de stockage, °C de Tstg −65 à 150°C