Les appareils électroniques et les circuits intégrés de composants de l'électronique M74HCT14B1 ENSORCELLENT L'INVERSEUR de SCHMITT
chip in electronics
,integrated components
Les appareils électroniques et les circuits intégrés de composants de l'électronique M74HCT14B1 ENSORCELLENT L'INVERSEUR de SCHMITT
M54HCT14
M74HCT14
INVERSEUR DE SCHMITT DE SORTILÈGE
• GRANDE VITESSE
tPD = 16 NS (TYPE.) VCC à =5V
• DISSIPATION DE PUISSANCE FAIBLE
ICC = 1 µA (MAXIMUM) AUX VENTRES = °C 25
• IMMUNITÉ DE BRUIT ÉLEVÉE
VH = 0,7 V (TYPE.) VCC À =5V
• LA SORTIE CONDUISENT DES CHARGES DE LA CAPACITÉ 10 LSTTL
• IMPÉDANCE SYMÉTRIQUE DE SORTIE
︱ Du ︱ IOH = IOL = 4 mA (mn)
• RETARDS DE PROPAGATION ÉQUILIBRÉS
tPLH = tPHL
• PIN ET FONCTION COMPATIBLES AVEC 54/74LS14
DESCRIPTION
Le M54/74HCT14 est un INVERSEUR de SCHMITT de SORTILÈGE de CMOS à grande vitesse fabriqué en technologie de MOS de la porte de silicium C2. Il a la même représentation à grande vitesse de LSTTL a combiné avec la véritable consommation de puissance faible de CMOS. Le brochage et la fonction sont identique que ceux du HCT04 mais toutes les entrées ont 0,7 niveaux d'hystérésis de V. Ceci ainsi que sa fonction de déclencheur de schmitt lui permet d'être employée sur la ligne récepteurs avec les signaux d'entrée lents de hausse/chute. Ce circuit intégré a les caractéristiques d'entrée et sortie qui sont entièrement compatibles avec des familles de 54/74 logique de LSTTL. Des dispositifs de M54/74HCT sont conçus pour connecter directement des systèmesde MOS de HSC2 avec des composants de TTL et de NMOS. Ils sont branchent également des remplacements pour des dispositifs de LSTTL donnant une réduction de puissance. Toutes les entrées sont équipées de pro
CAPACITÉS ABSOLUES
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
| VCC | Tension d'alimentation | -0,5 à +7 | V |
| VI | Le C.C a entré la tension | -0,5 à VCC + 0,5 | V |
| Vo | Tension de sortie de C.C | -0,5 à VCC + 0,5 | V |
| IIK | Le C.C a entré le courant de diode | ± 20 | mA |
| IOK | Courant de diode de sortie de C.C | ± 20 | mA |
| E/S | Courant d'évier de source de sortie de C.C par Pin de sortie | ± 25 | mA |
| ICC ou IGND | Dc VCC ou courant au sol | ± 50 | mA |
| Palladium | Dissipation de puissance | 500 (*) | mW |
| Tstg | Température de stockage | -65 à +150 | ℃ |
| TL | La température d'avance (sec 10) | 300 | ℃ |
MaximumRatings absolu sont ces valeurs au delà de whichdamage au dispositif peut se produire. L'opération fonctionnelle sous des ces condition isnotimplied.
(*) 500 mW : le ℃ du ≅ 65 sous-sollicitent à 300 mW par 10mW/℃ : ℃ 65 au ℃ 85
CIRCUIT ÉQUIVALENT D'ENTRÉE ET SORTIE
CONNEXIONS de PIN (vue supérieure)
LOGIQUE DIAGRAM/WAVEFORM
LES CARACTÉRISTIQUES DE CHANGEMENT EXAMINENT LE CIRCUIT
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485