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Nouvelle et originale puce 256K (32K X 8) MÉMOIRE RAM statique CY62256LL-70PXC de circuit intégré

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
SRAM - Mémoire asynchrone IC 256Kbit 70 parallèles NS 28-PDIP
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température de stockage:
– 65°C à +150°C
Le C.C a entré la tension:
– 0.5V à Vcc + 0.5V
Courant de sortie dans des sorties (BASSES):
20 mA
Tension de décharge statique:
> 2001V
Courant de verrou-:
> 200 mA
Grande vitesse:
55 NS
Chaîne de tension:
4.5V – 5.5V
Plages de température:
Industriel : – 40°C à 85°C
Point culminant:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introduction

CY62256

256K (32K X 8) MÉMOIRE RAM statique

Caractéristiques

• Grande vitesse

— 55 NS

• Températures ambiantes

— Message publicitaire : 0°C à 70°C

— Industriel : – 40°C à 85°C

— Des véhicules à moteur : – 40°C à 125°C

• Chaîne de tension

— 4.5V – 5.5V

• Basse puissance active et alimentation générale

• Ajout de mémoire facile avec des configurations de la CE et d'OE

• entrées et sorties TTL-compatibles

• Puissance-vers le bas automatique une fois ne pas sélectionner

• CMOS pour la vitesse/puissance optimas

• Disponible dans 28 une goupille standard sans Pb et non sans Pb SOIC étroit, 28 goupille TSOP-1,

28-pin inverse TSOP-1 et 28 paquets d'IMMERSION de goupille

Description fonctionnelle

Le CY62256 est un CMOS performant MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots 32K par 8 bits. L'ajout de mémoire facile est fourni par une BASSE puce active permettent (le CE) et la BASSE sortie active permettent (OE) et les conducteurs de trois états. Ce dispositif a une caractéristique automatique de puissance-vers le bas, réduisant la puissance de 99,9% une fois ne pas sélectionner.

Un BAS actif écrire permettent le signal (NOUS) commande l'écriture/opération "lecture" de la mémoire. Quand le CE et NOUS entre sont les deux BAS, données sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données (I/O0 par I/O7) sont écrits dans l'emplacement de mémoire adressé par le présent d'adresse sur les goupilles d'adresse (A0 par A14). La lecture du dispositif est accomplie en choisissant le dispositif et en permettant les sorties, le CE et le BAS actif d'OE, alors que NOUS reste inactif ou HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par l'information sur des goupilles d'adresse est présent sur les huit goupilles d'entrée-sortie de données. Les goupilles d'entrée-sortie restent dans un état à grande impédance à moins que la puce soit choisie, des sorties sont permises, et écrivent permettent (NOUS) est HAUTE.

Schéma fonctionnel de logique

Pin Configurations

Estimations maximum

(En haut que la vie utile peut être altéré. Pour des directives d'utilisateur, non examiné.)

Température de stockage ................................. – 65°C à +150°C

Température ambiante avec

Puissance ............................................. – 55°C appliqué à +125°C

Tension d'alimentation pour rectifier le potentiel

(Borne 28 à borne 14) .............................................. – 0.5V à +7V

Tension CC appliquée aux sorties

dans le haut-z état .................................... – 0.5V à VCC + 0.5V

Le C.C a entré la tension ................................ – 0.5V à VCC + 0.5V

Courant de sortie dans des sorties (BAS) ............................. 20 mA

Tension de décharge statique .......................................... > 2001V

(par MIL-STD-883, méthode 3015)

Courant de verrou- .................................................... > 200 mA

Plage de fonctionnement

Gamme Température ambiante (MERCI) VCC
Message publicitaire 0°C à +70°C 5V ± 10%
Industriel – 40°C à +85°C 5V ± 10%
Des véhicules à moteur – 40°C à +125°C 5V ± 10%

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