Nouveau et original double conducteur du côté bas MIC 4426BN du transistor MOSFET 1.5A-Peak
small scale integrated circuits
,integrated components
MIC4426/4427/4428
Double conducteur du côté bas du transistor MOSFET 1.5A-Peak
Description générale
La famille MIC4426/4427/4428 sont de doubles conducteurs haut-fiables de transistor MOSFET de lowside fabriqués sur un processus de BiCMOS/DMOS pour la consommation de puissance faible et le rendement élevé. Ces conducteurs traduisent TTL ou le CMOS a entré des niveaux de logique pour produire les niveaux de tension qui balancent dans 25mV de l'approvisionnement ou de la terre positif. Les éléments bipolaires comparables sont capables de l'oscillation seulement à dans 1V de l'approvisionnement. Le MIC4426/7/8 est disponible dans trois configurations : double inverser, double noninverting, et on inversant plus une sortie noninverting. Les MIC4426/4427/4428 sont les remplacements goupille-compatibles pour le MIC426/427/428 et le MIC1426/1427/1428 avec la représentation électrique améliorée et la conception rocailleuse (référez-vous aux listes de rechange de dispositif à la page suivante). Ils peuvent résister jusqu'à 500mA du courant inverse (non plus polarité) sans se verrouiller et jusqu'aux transitoires de bruit 5V (l'un ou l'autre de polarité) sur les goupilles moulues.
Principalement destiné aux transistors MOSFET de puissance d'entraînement, les conducteurs MIC4426/7/8 conviennent à conduire d'autres charges (capacitif, résistif, ou inductif) qui ont besoin de la bas-impédance, le courant de pointe élevée, et le temps de changement rapide. D'autres applications incluent conduire les lignes fortement chargées d'horloge, les câbles coaxiaux de liaison, ou les transducteurs piézoélectriques. La seule limitation de charge est que la dissipation de puissance totale de conducteur ne doit pas dépasser les limites du paquet.
Caractéristiques
• Construction de Bipolar/CMOS/DMOS
• Protection de verrou- au courant d'inverse de >500mA
• courant de sortie 1.5A-peak
• 4.5V à la plage de fonctionnement 18V
• Bas courant tranquille d'approvisionnement
4mA à la logique 1 entrée
400µA à la logique 0 entrées
• Commutateurs 1000pF dans 25ns
• Temps assortis de hausse et de rall
• impédance de la sortie 7Ω
• < 40ns="" typical="" delay="">
• indépendant de seuil de Logique-entrée de tension d'alimentation
• protection de Logique-entrée – à 5V
• capacité équivalente typique de l'entrée 6pF
• compensation maximale de la sortie 25mV d'approvisionnement ou de terre
• Remplace MIC426/427/428 et MIC1426/1427/1428
• Double inverser, double noninverting, et inverser des configurations noninverting
• Protection d'ESD
Applications
• Conducteur de transistor MOSFET
• Module de commande de ligne horloge
• Conducteur de câble coaxial
• Conducteur de transducteur de Piezoelectic
Diagramme fonctionnel
Pin Configuration
Pin Description
| Pin Number | Pin Name | Pin Function |
| 1,8 | OR | pas intérieurement relié |
| 2 | INA | Le contrôle a entré A : Entrée compatible de logique de TTL/CMOS. |
| 3 | LA terre | La terre |
| 4 | INB | Le contrôle a entré B : Entrée compatible de logique de TTL/CMOS. |
| 5 | OUTB | Sortie B : Sortie de mât totémique de CMOS. |
| 6 | CONTRE | Entrée d'approvisionnement : +4.5V à +18V |
| 7 | OUTA | Sortie A : Sortie de mât totémique de CMOS. |
Capacités absolues (note 1)
Tension d'alimentation (CONTRE) .................................................... +22V
Tension d'entrée (VIN) ......................... CONTRE + 0.3V à la terre – 5V
La température de jonction (TJ) ........................................ 150°C
Température de stockage ............................... – 65°C à +150°C
La température d'avance (sec 10.) ...................................... 300°C
Estimation d'ESD, note 3
Estimations fonctionnantes (note 2)
Tension d'alimentation (CONTRE) ..................................... +4.5V à +18V
Température ambiante (MERCI)
(a) ........................................................ – 55°C à +125°C
(b) .......................................................... – 40°C à +85°C
Résistance thermique de paquet
ΘJA ............................................................ 130°C/W de PDIP
ΘJC ............................................................. 42°C/W de PDIP
ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC
ΘJC ............................................................. 75°C/W de SOIC
ΘJC ......................................................... 250°C/W de MSOP
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