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Nouveau et original 512K I2C™ CMOS EEPROM périodique 24LC512-I/P

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mémoire EEPROM IC 512Kbit I²C 400 kHz 900 ns 8-PDIP
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VCC:
6.5V
Toutes les entrées et sorties w.r.t. VSS:
-0.6V VCC à +1.0V
Température de stockage:
-65°C à +150°C
Température ambiante avec la puissance appliquée:
-40°C à +125°C
Protection d'ESD sur toutes les goupilles:
≥ 4 kilovolts
Paquets:
Incluez 8 l'avance PDIP, SOIJ et DFN
Point culminant:

chip in electronics

,

integrated components

Introduction

512K I2C™ CMOS EEPROM périodique

Tableau de sélection de dispositif

Numéro de la pièce VCC gamme Fréquence du signal d'horloge maximale Temp. Gammes
24AA512 1.7-5.5V 400 kilohertz (1) Je
24LC512 2.5-5.5V 400 kilohertz I, E
24FC512 1.7-5.5V 1 mégahertz (2) Je

Note 1 : 100 kilohertz pour VCC< 2="">

2 : 400 kilohertz pour VCC< 2="">

Caractéristiques :

• Approvisionnement simple avec l'opération vers le bas à 1.7V pour

24AA512 et 24FC512 dispositifs, 2.5V pour les dispositifs 24LC512

• Technologie de basse puissance de CMOS :

- 400 uA actuels actifs, typiques

- Na de réserve du courant 100, typique

• interface série à 2 fils, I2C™ compatible

• Cascadable pour jusqu'à huit dispositifs

• Entrées de déclencheur de Schmitt pour la suppression de bruit

• Contrôle de pente de sortie pour éliminer le rebond au sol

• 100 kilohertz et 400 kilohertz de compatibilité d'horloge

• La page écrivent le maximum de Mme du temps 5.

• L'effacement Auto-synchronisé/écrivent le cycle

• la page 128-Byte écrivent le tampon

• Protection contre l'écriture de matériel

• Protection >4000V d'ESD

• Plus de 1 million d'effacement/écrivent des cycles

• Conservation de données > 200 ans

• Les paquets incluent 8 l'avance PDIP, SOIJ et DFN

• Sans Pb et RoHS conformes

• Températures ambiantes :

- (i) industriel : -40°C à +85°C

- (e) des véhicules à moteur : - 40°C à +125°C

Description :

Microchip Technology Inc. 24AA512/24LC512/24FC512 (24XX512*) est de 64K X (512 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM effaçable électriquement, capable de l'opération à travers une large gamme de tension (1.7V à 5.5V). Elle a été développée pour des applications telles que des communications personnelles et par acquisition de données avancés et de basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page la capacité de jusqu'à 128 octets de données. Ce dispositif est capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu'à la frontière 512K. Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'à huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace d'adressage jusqu'à de 4 Mbit. Ce dispositif est disponible dans paquets en plastique standard d'IMMERSION, de SOIJ et de DFN les de 8 borne.

Schéma fonctionnel

Type de paquet

................................................................................................................................................... VCC 6.5V de capacités absolues (†)

Toutes les entrées et sorties w.r.t. VSS .............................................................................. -0.6V VCC à +1.0V

Température de stockage ..................................................................................................... - 65°C à +150°C

Température ambiante avec ........................................................................ - 40°C appliqué par puissance à +125°C

Protection d'ESD sur tout le ≥ de goupilles .............................................................................................................. 4 kilovolts

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les listes opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de évaluation de maximum pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

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