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Circuit intégré IC TLC272CPWR d'amplificateurs opérationnels de précision de Lincmos double

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Circuit 8-TSSOP de l'amplificateur 2 de CMOS
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension d'alimentation:
18V
Tension différentielle à l'entrée:
±VDD
Gamme de tension d'entrée:
– 0,3 V à VDD
Courant d'entrée:
±5 mA
Courant de sortie:
±30 mA
Point culminant:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introduction

Description

La précision TLC272 et TLC277 que les doubles amplificateurs opérationnels combinent un large éventail d'entrée a compensé des catégories de tension avec la basse dérive excentrée de tension, hauts impédance d'entrée, à faible bruit, et des vitesses approchant ceux des dispositifs polyvalents de BiFET. Ces dispositifs emploient la technologie de  de LinCMOS de silicongate de Texas Instruments, qui fournit à la stabilité excentrée de tension dépassant de loin la stabilité disponible des processus conventionnels de métal-porte. L'impédance extrêmement élevée d'entrée, les bas courants polarisés, et les taux de groupe élevés rendent ces dispositifs rentables idéaux pour des applications précédemment réservées pour des produits de BiFET et de NFET. Quatre catégories excentrées de tension sont disponibles (C-suffixe et types de Je-suffixe), s'étendant du TLC272 bon marché (10 système mv) au TLC277 à haute précision (µV 500). Ces avantages, en combination avec le bon rejet de commun-mode et rejet de tension d'alimentation, font à ces dispositifs un bon choix pour de nouvelles conceptions de pointe aussi bien que pour améliorer des conceptions existantes.

schéma équivalent (chaque amplificateur

L'information de puce de TLC272Y cette puce, une fois correctement compilée, montre des caractéristiques semblables au TLC272C. La compression thermique ou la liaison ultrasonique peut être employée sur les plots de connexion d'enduire-aluminium. Des puces peuvent être montées avec de l'époxyde conducteur ou une préformation d'or-silicium.

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