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Photocoupleur de TOSHIBA infrarouge LED + circuit intégré IC d'IC TLP550 de photo

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Le transistor d'optoisolant a produit 2500Vrms 1 la Manche 8-DIP
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension d'isolement:
2500 Vrms (mn)
Vitesse de changement:
tpHL, tpLH = 0.5µs (type.) (kΩ RL=1.9)
Courant en avant:
25 mA
Chaîne de température de fonctionnement:
?-55~100 °C
Point culminant:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introduction

Photocoupleur de TOSHIBA infrarouge LED + photo IC TLP550

Isolement de logique de Degital Unité dans le millimètre

Ligne contrôle de retour de récepteur

Contrôle d'alimentation d'énergie

Alimentation d'énergie de changement

Inverseur de transistor

TLP550 construit une haute diode de émission et un transistor de diode− de photo d'une puce.

TLP550 n'a aucune connexion basse, et convient à l'application à l'état environnemental bruyant.

Cette unité est paquet de l'IMMERSION 8−lead.

  • ? Tension d'isolement : 2500 Vrms (mn) ?
  • Vitesse de changement : tpHL, tpLH = 0.5µs (type.) (kΩ RL=1.9) ?
  • TTL compatible ?
  • L'UL a reconnu : UL1577, no. E67349 pi de dossier

Pin Configuration (vue supérieure) Schéma

Estimations maximum (merci = 25°C)

Caractéristique Symbole Estimation Unité
LED Courant en avant (Note 1) SI 25 mA
Palpitez en avant actuel (Note 2) IFP 50 mA
Courant en avant passager maximal (Note 3) IFPT 1
Tension inverse VR 5 V
Dissipation de puissance de diode (Note 4) Palladium 45 mW
Détecteur Courant de sortie E/S 8 mA
Courant de production maximale IOP 16 mA
Tension d'alimentation VCC - ? 0.5~15 V
Tension de sortie Vo - ? 0.5~15 V
Dissipation de puissance de sortie (Note 5) PO 100 mW
Gamme de température de fonctionnement Topr ? - 55~100 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg ? - 55~125 °C
La température de soudure d'avance (10s) Tsol 260 °C
Tension d'isolement (C.A., 1min., droit = 40~60%) (Note 6) BVS 2500 Vrms

(La note 1) sous-sollicitent 0.8mA au-dessus de 70°C.

(Coefficient d'utilisation de note 2) 50%, durée d'impulsion 1ms. Sous-sollicitez 1.6mA/°C au-dessus de 70°C.

(Durée d'impulsion de note 3) 1µs, 300pps.

(La note 4) sous-sollicitent 0.9mW/°C au-dessus de 70°C.

(La note 5) sous-sollicitent 2mW/°C au-dessus de 70°C.

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