Puce 30dB, 4-Bit C.C - 2,0 gigahertz AT-220 de circuit intégré d'atténuateur de Digital
chip in electronics
,small scale integrated circuits
Atténuateur de Digital, 30 DBs, gigahertz de 4-Bit DC-2.0 AT-220
Caractéristiques Schéma fonctionnel
• Étapes de l'atténuation 2-dB au DB 30
• De grande précision
• Bas produit d'intermodulation : +50 dBm IP3
• Basse consommation d'alimentation CC : µW 50
• Paquet SOIC-16 en plastique
• Emballage de bande et de bobine disponible
• Stabilité de température +/--0,15 DB : -40°C à +85°C
Description
M/A-COM AT-220 est 4 un bit, 2-dB atténuateur numérique de l'étape GaAs MMIC dans un paquet en plastique de bâti de surface d'avance du coût bas SOIC 16. L'AT-220 approprié idéalement pour l'usage où de grande précision, commutation rapide, consommation de puissance faible très et de bas produits d'intermodulation sont exigés. Les applications typiques incluent l'équipement par radio et cellulaire, le LANs sans fil, l'équipement de GPS et d'autres circuits de gain/contrôle de niveau.
L'AT-220 est fabriqué avec une GaAs monolithique MMIC utilisant un processus mûr de 1 micron. Le processus comporte
pleine passivation de puce pour la représentation et la fiabilité accrues.
| Pin No. | Fonction | Pin No. | Fonction |
| 1 | VC1 | 9 | RF2 |
| 2 | VC1 | 10 | LA terre |
| 3 | VC2 | 11 | LA terre |
| 4 | VC2 | 12 | LA terre |
| 5 | VC3 | 13 | LA terre |
| 6 | VC3 | 14 | LA terre |
| 7 | VC4 | 15 | LA terre |
| 8 | VC4 | 16 | RF1 |
| Paramètre | Maximum absolu |
|
Puissance d'entrée : 50 mégahertz 500-2000 mégahertz |
dBm +27 dBm +34 |
| Tension de contrôle | -8,5 ≤ 5V du ≤ VC de V |
| Température de fonctionnement | -40°C à +85°C |
| Température de stockage | -65°C à +150°C |
1. Le dépassement de des n'importe quelles ou combinaison de ces limites peut causer permanent
dommages à ce dispositif.
| Paramètre | Conditions d'essai | Fréquence | Unités | Minute | Type | Maximum |
| Perte par insertion (état de référence) |
C.C - 0,5 gigahertz Dc -1,0 gigahertz Dc -2,0 gigahertz |
DB DB DB |
-- -- -- |
1,5 1,6 1,8 |
1,7 1,8 2,1 |
|
| Exactitude 2 d'atténuation |
Dc -1,0 gigahertz Dc -2,0 gigahertz |
DB du ± (0,15 DB + 3% de l'arrangement d'Atten dans le DB) DB du ± (0,30 DB + 4% de l'arrangement d'Atten dans le DB) |
||||
| VSWR | Rapport | -- | 1.2:1 | -- | ||
| Trise, Tfall | 10% à 90% rf, 90% à 10% rf | -- | NS | -- | 12 | -- |
| Tonne, dandy |
Contrôle de 50% à 90% rf, Contrôle de 50% à 10% rf |
-- | NS | -- | 18 | -- |
| Coupures | Dans-bande | -- | système mv | -- | 25 | -- |
| 1 compression de DB |
Puissance d'entrée Puissance d'entrée |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm de dBm |
-- -- |
20 28 |
-- -- |
| IP2 |
À puissance d'entrée relative mesurée (Pour dBm jusqu'à +5 à deux tons de puissance d'entrée) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm de dBm |
-- -- |
45 68 |
-- -- |
| IP3 |
À puissance d'entrée relative mesurée (Pour dBm jusqu'à +5 à deux tons de puissance d'entrée) |
0,05 gigahertz 0,5 - 2,0 gigahertz |
dBm de dBm |
-- -- |
40 50 |
-- -- |
| Contrôle actuel | |VC| = 5 V | µA | -- | 100 | ||
2. Les caractéristiques d'exactitude d'atténuation s'appliquent avec le contrôle polarisé négatif et fondre de faible induction.
SOIC-16
Courbes de représentation typiques
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485