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Transistor d'usage universel de KSP2907A

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW par le trou TO-92-3
Catégorie:
Conducteur ICs d'affichage
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Payapl
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
-60 V
Tension de collecteur-émetteur:
-60 V
tension d'Émetteur-base:
-5 V
Courant de collecteur:
-600 mA
Dissipation de puissance de collecteur:
625 mW
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
150 °C
Température de stockage:
-55 | °C 150
Point culminant:

chip in electronics

,

small scale integrated circuits

Introduction

KSP2907A

Transistor d'usage universel

• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V

• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)

• Référez-vous à KSP2907 pour des graphiques

Transistor épitaxial de silicium de PNP

Capacités absolues Ta=25°C sauf indication contraire

Unités de valeur de paramètre de symbole

Tension de collecteur-base de VCBO -60 V

Tension de collecteur-émetteur de VCEO -60 V

Tension -5 V d'Émetteur-base de VEBO

Courant de collecteur d'IC -600 mA

Dissipation de puissance de collecteur de PC 625 mW

Température de stockage -55 | du °C TSTG de la température de jonction de TJ 150 °C 150

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POLITIQUE D'ASSISTANCE VITALE

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Courant:
MOQ:
100pcs