Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > PS2703-1-F3-A IC électronique ébrèche le PHOTOCOUPLEUR MULTI de TENSION ÉLEVÉE d'ISOLEMENT

PS2703-1-F3-A IC électronique ébrèche le PHOTOCOUPLEUR MULTI de TENSION ÉLEVÉE d'ISOLEMENT

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Le transistor d'optoisolant a produit 3750Vrms 1 la Manche 4-SOP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Actuel en avant (C.C):
50 mA
Tension inverse:
6 V
Collecteur à la tension d'émetteur:
120 V
Émetteur à la tension de collecteur:
6 V
Courant de collecteur:
30 mA
Température ambiante fonctionnante:
- °C 55 à +100
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduction

PHOTOCOUPLEUR PS2703-1

HAUT COLLECTEUR DE TENSION ÉLEVÉE D'ISOLEMENT AU TYPE PHOTOCOUPLEUR MULTI DE TENSION D'ÉMETTEUR DE CONCESSION

DESCRIPTION

Le PS2703-1 est un isolant optiquement couplé contenant une diode électroluminescente de GaAs et un phototransistor de silicium de NPN.

Ceci est monté dans une CONCESSION en plastique (petit paquet d'ensemble) pour des applications à haute densité.

Ce paquet a l'effet de bouclier pour découper la lumière ambiante.

CARACTÉRISTIQUES

• Tension élevée d'isolement (la BV = 3 750 Vr.m.s.)

• Haut collecteur à la tension d'émetteur (VCEO = 120 V)

• Type de CONCESSION (petit paquet d'ensemble)

• Chaque canal d'isolement par paquet

• Commutation ultra-rapide (TR, tf de = TYPE 10 µs.)

• Attacher du ruban adhésif au nombre de produit : PS2703-1-F3, F4

• Normes de sécurité

• L'UL a approuvé : No. E72422 de dossier

• Le BSI a approuvé : No. 8219/8220 de dossier

• CSA a approuvé : No. CA 101391 de dossier

• DIN EN60747-5-2 (VDE0884 Part2) approuvé (option)

APPLICATIONS

• IC hybride

• Telephone/FAX

• Équipement de FA/OA

• Contrôleurs programmables de logique

• Alimentation d'énergie

EMPAQUETEZ LES DIMENSIONS (dans les millimètres)

CAPACITÉS ABSOLUES (VENTRES = 25°C, sauf indication contraire)

Paramètre Symbole Estimations Unité
Diode Actuel en avant (C.C) SI 50 mA
Tension inverse VR 6 V
Tension inverse ∆PD/°C 0,8 mW/°C
Dissipation de puissance Palladium 80 mW
*1 actuel en avant maximal IFP 1
Transistor Collecteur à la tension d'émetteur VCEO 120 V
Émetteur à la tension de collecteur VECO 6 V
Courant de collecteur IC 30 mA
Sous-sollicitation de dissipation de puissance ∆PC/°C 1,5 mW/°C
Dissipation de puissance PC 150 mW
Tension *2 d'isolement LA BV 3750 Vr.m.s.
Température ambiante fonctionnante MERCI – 55 à +100 °C
Température de stockage Tstg – 55 à +150 °C

*1 picowatt = 100 µs, coefficient d'utilisation = 1%

La tension CA *2 pour 1 minute aux VENTRES = au 25°C, Rhésus = 60% entre les bornes d'entrée et sortie 1-2 a court-circuité ensemble, 3-4 court-circuité ensemble.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
BCX71G 48000 FAIRCHILD 15+ SOT-23
UC3842 49825 SUR 16+ DIP-8
2SA1774TLR 50000 ROHM 16+ SOT23-3
2SC3355 50000 NEC 14+ TO-92
FDN338P 50000 FSC 14+ SOT-23
KIA78L08 50000 KEC 14+ SOT89
SS13 50000 VISHAY 16+ SMA
MBT2907ALT1G 51200 SUR 16+ SOT-23
BAV70 52000 13+ SOT23
SK16 52000 MOSPEC 15+ SMA
UMX1N 60000 ROHM 16+ SOT363
NJM4558D-#ZZZB 70000 LE CCR 16+ DIP8
2SA1586-GR 78000 TOSHIBA 14+ SOT-323
SMBJ18A 88000 VISHAY 14+ DO-214AA
UC3842BD1013TR 90000 St 14+ SOP8
FR607 98000 MIC 16+ R-6
BC857BLT1G 99000 SUR 16+ SOT-23
78L05 100000 TI 13+ TO92
AP8022 100000 CHIPOWN 15+ DIP-8
SMBJ12CA 101000 VISHAY 16+ SMB
BC847BLT1G 117000 SUR 16+ SOT-23
BAT54A 6000 14+ SOT-23
2N7002P 3000 14+ STO-23
AD9957BSVZ 2010 L'ADI 14+ QFP
BY500-800 2015 VISHAY 16+ DO-201
LM311P 2020 TI 16+ DIP8
XC5VSX95T-1FFG1136C 525 XILINX 13+ BGA
XC5VSX95T-1FFG1136I 530 XILINX 15+ BGA
AD9958BCPZ 2035 ANNONCE 16+ BGA
BD237 2040 16+ IMMERSION

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
100pcs