La puce 64/80-Pin 1-Mbit de PIC18LF6722-I/PT IC a augmenté les microcontrôleurs instantanés

PIC18F6627/6722/8627/8722

64/80-Pin 1-Mbit a augmenté les microcontrôleurs instantanés avec 10-Bit A/D et technologie de nanowatt

Modes Puissance-contrôlés :

• Course : Unité centrale de traitement dessus, périphériques dessus

• Ralenti : Unité centrale de traitement, périphériques dessus

• Sommeil : Unité centrale de traitement, périphériques

• Courants de mode inactivité vers le bas au µA 15 typique

• Bas actuel de sommeil à 0,2 µA typiques

• Oscillateur Timer1 : 1,8 µA, 32 kilohertz, 2V

• Horloge de surveillance : µA 2,1

• Démarrage à deux vitesses d'oscillateur

Structure flexible d'oscillateur :

• Quatre modes de cristal, jusqu'à 25 mégahertz

• boucle de serrure de la phase 4X (PLL) (disponibles pour les oscillateurs en cristal et internes)

• Deux modes externes de RC, jusqu'à 4 mégahertz

• Deux modes d'horloge externes, jusqu'à 40 mégahertz

• Bloc interne d'oscillateur :

- 8 fréquences choisies par l'usager, de 31 kilohertz à 8 mégahertz

- Fournit à une gamme complète de fréquences d'horloge de 31 kilohertz à 32 mégahertz une fois utilisé PLL

- Utilisateur réglable pour compenser la dérive de fréquence

• Oscillateur secondaire utilisant Timer1 @ 32 kilohertz

• Moniteur de sécurité d'horloge :

- Tient compte de l'arrêt du système par précaution si les arrêts périphériques d'horloge

Interface externe de mémoire (PIC18F8627/8722 seul) :

• Capacité d'adresse de jusqu'à 2 Moctets

• interface à 8 bits ou de 16 bits

Points culminants périphériques :

• Évier à forte intensité/source 25 mA/25 mA

• Quatre interruptions externes programmables

• Quatre interruptions de changement d'entrée

• Deux modules de la capture/Compare/PWM (CCP)

Points culminants périphériques (suite) :

• Trois modules augmentés de la capture/Compare/PWM (ECCP) :

- Une, deux ou quatre sorties de PWM

- Polarité sélectionnable

- Mort fois programmable

- Automatique-arrêt et redémarrage automatique

• Deux modules synchrones principaux de la porte série (MSSP) soutenant 2/3/4-wire SPI™

(chacun des 4 modes) et maître d'I2C™ et modes slaves

• Deux ont augmenté les modules accessibles d'USART :

- Soutient RS-485, RS-232 et LIN 1,2

- Opération RS-232 utilisant le bloc interne d'oscillateur (aucun cristal externe n'a exigé)

- Automatique-sillage- sur le bit de départ

- l'Automatique-baud détectent

• 10 bit, module de convertisseur analogique-numérique de jusqu'à 16 canaux (A/D)

- capacité d'Automatique-acquisition

- Conversion disponible pendant le sommeil

• Doubles comparateurs analogues avec le multiplexage d'entrée

Caractéristiques spéciales de microcontrôleur :

• Architecture optimisée par compilateur C :

- Jeu d'instructions prolongé facultatif conçu pour optimiser le code de réentrée

• 100 000 effacements/écrivent la mémoire instantanée de programme augmentée par cycle typique

• 1 000 000 effacements/écrivent la mémoire des données EEPROM de cycle typique

• Conservation instantanée/données EEPROM : 100 ans de typique

• Auto-programmable sous le contrôle de logiciel

• Niveaux de priorité pour des interruptions

• Multiplicateur simple de matériel du cycle 8 x 8

• Horloge de surveillance prolongée (WDT) :

- Période programmable de Mme 4 à 131s

• Simple-approvisionnement Programming™ périodique en circuit (ICSP™) par l'intermédiaire de deux bornes

• En circuit corrigez (ICD) par l'intermédiaire de deux bornes

• Grand choix de tension d'opération : 2.0V à 5.5V

Pin Diagrams

64-Pin TQFP

Note 1 : Le placement de goupille de CCP2/P2A est déterminé par les arrangements de peu de configuration de CCP2MX et de mode de processeur.

80-Pin TQFP

Note 1 : Le placement de goupille de CCP2/P2A est déterminé par les arrangements de peu de configuration de CCP2MX et de mode de processeur.

2 : Le placement de goupille de P1B, de P1C, de P3B et de P3C est déterminé par le peu de configuration d'ECCPMX.

Capacités absolues (†)

Température ambiante sous la polarisation ......................................................................... - 40°C à +125°C

Température de stockage ......................................................................................... -65°C à +150°C

Tension sur toute goupille en ce qui concerne VSS (excepté VDD et MCLR) .............. -0.3V à (VDD + 0.3V)

Tension sur VDD en ce qui concerne VSS ..................................................................... -0.3V à +7.5V

Tension sur MCLR en ce qui concerne VSS (note 2) ..................................................... 0V à +13.25V

Dissipation de puissance totale (note 1) ............................................................................................ 1.0W

Courant maximum hors de goupille de VSS ........................................................................................ 300 mA

Courant maximum dans la goupille de VDD ........................................................................................... 250 mA

Courant de bride d'entrée, IIK (VI< 0="" or="" V=""> je > VDD) ....................................................................... ±20 mA

Courant de bride de sortie, IOK (Vo< 0="" or="" V=""> O > VDD) ............................................................. ±20 mA

Courant de sortie maximum descendu par toute goupille d'entrée-sortie ......................................................................... 25 mA

Courant de sortie maximum originaire par toute goupille d'entrée-sortie ................................................................... 25 mA

Courant maximum descendu par tous les ports ...................................................................................... 200 mA

Courant maximum originaire par tous les ports ................................................................................. 200 mA

Note

1 : La dissipation de puissance est calculée comme suit :

Pdis = VDD X {IDD – ∑ IOH} + ∑ {(VDD – VOH) x IOH} + ∑ (vol. X IOL)

2 : Les pointes de tension au-dessous du VSS à la goupille MCLR/VPP/RG5, induisant les courants de plus grand que 80 mA, peuvent causer le verrou-. Ainsi, une résistance de série de 50-100Ω devrait être utilisée en appliquant un niveau « bas » à la goupille de MCLR/VPP/RG5, plutôt que tirant cette goupille directement au VSS.

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou de toutes les autres conditions au-dessus de ceux a indiqué dans les listes d'opération de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de évaluation de maximum pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Offre courante (vente chaude)