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PIC16F628A-I/SO IC électronique ébrèche les microcontrôleurs à 8 bits basé sur éclair de CMOS

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
ÉCLAIR à 8 bits 18-SOIC d'IC 20MHz 3.5KB (2K X 14) de microcontrôleur de l'IMAGE PICTURE® 16F
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante sous la polarisation:
-40 à +125°C
Température de stockage:
-65°C à +150°C
Tension sur VDD en ce qui concerne le VSS:
-0,3 à +6.5V
Tension sur MCLR et RA4 en ce qui concerne le VSS:
-0,3 à +14V
Tension sur toutes autres goupilles en ce qui concerne le VSS:
-0.3V à VDD + 0.3V
Dissipation de puissance totale:
800 mW
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduction

PIC16F627A/628A/648A

Microcontrôleurs à 8 bits basé sur éclair de CMOS

microcontrôleurs à 8 bits basé sur éclair de 18-pin CMOS

Unité centrale de traitement de la haute performance RISC :

• Vitesses de fonctionnement de C.C - 20 mégahertz

• Capacité d'interruption

• 8 piles de matériel profondes de niveau

• Modes d'adressage direct, indirect et relatif

• 35 instructions de mot simple

- Toutes les instructions choisissent le cycle excepté des branches

Caractéristiques spéciales de microcontrôleur :

• Options internes et externes d'oscillateur

- Oscillateur interne de 4 mégahertz de précision calibré à l'usine à ±1%

- Oscillateur interne de 37 kilohertz de puissance faible

- Soutien externe d'oscillateur des cristaux et des résonateurs.

• Mode de SOMMEIL d'économie de puissance

• Traction-UPS faible programmable sur PORTB

• Clair principal multiplexé/Entrée-goupille

• Horloge de surveillance avec l'oscillateur indépendant pour l'opération fiable

• Programmation de basse tension

• Programming™ périodique en circuit (par l'intermédiaire de deux bornes)

• Protection programmable de code

• Remise d'arrêt partiel

• Puissance-sur la remise

• Minuterie du cycle initial et minuterie de démarrage d'oscillateur

• Grand choix de tension d'opération. (2,0 - 5.5V)

• Température ambiante industrielle et prolongée

• Cellule élevée de la résistance FLASH/EEPROM

- 100 000 écrivent la résistance INSTANTANÉE

- 1 000 000 écrivent la résistance d'EEPROM

- conservation de 100 données d'an

Caractéristiques de puissance faible :

• Courant de réserve :

- 100 Na @ 2.0V, typique

• Actuel d'opération :

- µA 12 @ 32 kilohertz, 2.0V, typique

- µA 120 @ 1 mégahertz, 2.0V, typique

• Courant d'horloge de surveillance

- 1 µA @ 2.0V, typique

• Courant de l'oscillateur Timer1 :

- µA 1,2 @ 32 kilohertz, 2.0V, typique

• Oscillateur interne à deux vitesses :

- Temps d'exécution sélectionnable entre 4 mégahertz et 37 kilohertz

- 4 µs se réveillent du SOMMEIL, 3.0V, typique

Caractéristiques périphériques :

• 16 bornes d'entrée-sortie avec le contrôle individuel de direction

• Évier à forte intensité/source pour la commande directe de LED

• Module analogue de comparateur avec :

- Deux comparateurs analogues

- Module programmable de la référence de tension de sur-puce (VREF)

- Référence interne ou externe sélectionnable

- Les sorties de comparateur sont extérieurement accessibles

• Timer0 : minuterie/compteur à 8 bits avec le prescaler programmable à 8 bits

• Timer1 : minuterie/compteur de 16 bits avec la capacité externe d'horloge en cristal

• Timer2 : minuterie/compteur à 8 bits avec le registre, le prescaler et le postscaler à 8 bits de période

• Capturez, comparez, module de PWM

- la capture de 16 bits/comparent

- 10 bit PWM

• Récepteur universel accessible/émetteur synchrones/asynchrones USART/SCI

† Absolues de capacités

Température ambiante sous la polarisation ............................................................................. - 40 à +125°C

Température de stockage ......................................................................................... -65°C à +150°C

Tension sur VDD en ce qui concerne VSS ........................................................................ -0,3 à +6.5V

Tension sur MCLR et RA4 en ce qui concerne VSS ........................................................ - 0,3 à +14V

Tension sur toutes autres goupilles en ce qui concerne VSS ................................................ - 0.3V à VDD + 0.3V

Dissipation de puissance totale (1) ................................................................................................ 800 mW

Courant maximum hors de goupille de VSS ....................................................................................... 300 mA

Courant maximum dans la goupille de VDD .......................................................................................... 250 mA

Courant de bride d'entrée, IIK (VI< 0="" or="" V=""> je > VDD) ...................................................................... ± 20 mA

Courant de bride de sortie, IOK (Vo < 0="" or="" Vo="">VDD) ................................................................. ± 20 mA

Courant de sortie maximum descendu par toute goupille d'entrée-sortie .......................................................................... 25 mA

Courant de sortie maximum originaire par toute goupille d'entrée-sortie .................................................................... 25 mA

Courant maximum descendu par PORTA et PORTB (combinés) .................................................. 200 mA

Courant maximum originaire par PORTA et PORTB (combinés) ............................................. 200 mA


Note 1 : La dissipation de puissance est calculée comme suit : PDIS = VDD X {IDD - ∑ IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑ (vol. X IOL)

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou de toutes les autres conditions au-dessus de ceux a indiqué dans les listes d'opération de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de évaluation de maximum pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Note : Les pointes de tension au-dessous du VSS à la goupille de MCLR, induisant les courants de plus grand que 80 mA, peuvent causer le latchup. Ainsi, une résistance de série du Ω 50-100 devrait être utilisée en appliquant un niveau « bas » à la goupille de MCLR plutôt que tirant cette goupille directement au VSS.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
MB87L8500BGL-G-AE1 7524 FUJITSU NOUVEAU SAC
BTS56033-LBA 7500 NOUVEAU PG-SON24
ISL6613CBZ-T 7500 INTERSIL NOUVEAU SMD
M24C16-WMN6TP 7500 St NOUVEAU SOP8
MIC29150-12TW 7500 MICREL NOUVEAU TO220
MP1583DN-LF-Z 7500 MP NOUVEAU SOP8
RT8209NGQW 7500 RICHTEK NOUVEAU WQFN-16L
RT9962BGQW 7500 RICHTEK NOUVEAU WDFN
TS393IDT 7500 St NOUVEAU SOP8
TSB41AB1PHP 7500 TI NOUVEAU QFP
TS272CD 7260 St NOUVEAU SOP8
M52797FP 7128 RENESAS NOUVEAU SOP24
S29PL064J70BAI120 7016 SPANSIO NOUVEAU FBGA-48
TB6066FNG 6968 TOSHIBA NOUVEAU SSOP
MP1519DQ-Z 6952 MP NOUVEAU QFN
RT6801GQW 6826 RICHTEK NOUVEAU WDFN
RT8202MZQW 6788 RICHTEK NOUVEAU QFN
FM1182-GE 6704 FAORFEMEDIE NOUVEAU QFP48
MIC4575WT 6200 MICREL NOUVEAU TO220
MPC17511EVEL 6166 MOTOROLA NOUVEAU SSOP16
AM29DL800BT-120EC 6132 AMD NOUVEAU TSOP-48
ISL8012IRZ-T 6125 INTERSIL NOUVEAU QFN
AUO-6R 6024 RICHTEK NOUVEAU WQFN24
ESDA6V1L 6000 St NOUVEAU SOT-23
MAP3201SIH 6000 MAGANCHIP NOUVEAU SOP-16
NCP2820FCT1G 6000 SUR NOUVEAU BGA
NJM2871AF25-TE1 6000 LE CCR NOUVEAU SOT23-5
PBSS9410PA.115 6000 NOUVEAU SOT1061
PCA9633TK 6000 PHILIPS NOUVEAU QFN
SI7904DN-T1-E3 6000 VISHAY NOUVEAU SO-10

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Courant:
MOQ:
20 pcs