MT29F32G08CBACAWP-ITZ : C IC électronique Chips NAND Flash Memory

32Gb, 64Gb, NAND Features asynchrone/synchrone de 128Gb

NAND Flash Memory

MT29F32G08CBACA, MT29F64G08CEACA, MT29F64G08CFACA, MT29F128G08CXACA, MT29F64G08CECCB

Caractéristiques

• NAND Flash Interface ouvert (ONFI) 2,2¹ conformes

• technologie niveau multiple des cellules (MLC)

• Organisation

– Taille de la page x8 : 4320 octets (4096 + 224 octets)

– Longueur de bloc : 256 pages (octets 1024K + 56K)

– Taille plate : 2 blocs des avions x 2048 par avion

– Taille de dispositif : 32Gb : 4096 blocs ; 64Gb : 8192 blocs ; 128Gb : 16 384 blocs

• Représentation synchrone d'entrée-sortie

– Jusqu'à mode de synchronisation synchrone 5

– Fréquence de base : 10ns (RDA)

– Sortie lecture/écriture par goupille : 200 MT/s

• Représentation asynchrone d'entrée-sortie

– Jusqu'à mode de synchronisation asynchrone 5

– ^tRC/tWC : 20ns (MINUTE)

• Représentation de rangée

– Page lue : 50µs (MAX)

– Page de programme : 1300µs (TYPE)

– Bloc d'effacement : 3ms (TYPE)

• Chaîne de tension d'opération

– VCC : 2.7-3.6V

– VCCQ : 1.7-1.95V, 2.7-3.6V

• Ensemble de commande : ONFI NAND Flash Protocol

• Ensemble avancé de commande

– Cachette de programme

– Cachette lue séquentielle

– Cachette lue aléatoire

– Mode (OTP) programmable ancien

– commandes de Multi-avion

– Opérations multi-LUN

– Lisez l'identification unique

– Copyback

• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valide une fois transporté de l'usine.

Pour la CCE requise minimum, voir la gestion d'erreur (page 101).

• La REMISE (FFh) a exigé en tant que première commande après poweron

• L'octet de statut d'opération fournit la méthode de logiciel pour la détection

– Achèvement d'opération

– État de passage/échouer

– Statut de protection contre l'écriture

• Les signaux du stroboscope de données (DQS) fournissent une méthode de matériel pour synchroniser les données DQ dans l'interface synchrone

• Les opérations de Copyback ont soutenu dans l'avion duquel des données sont lues

• Qualité et fiabilité

– Conservation de données : 10 ans

– Résistance : 3000 cycles de PROGRAM/ERASE

• Température de fonctionnement :

– Message publicitaire : 0°C à +70°C

– Industriel (informatique) : – 40ºC à +85ºC

• Paquet

– 52 protection LGA

– 48 goupille TSOP

– 100 boule BGA

Note : 1. Les spécifications d'ONFI 2,2 sont disponibles chez www.onfi.org.

Description générale

Les dispositifs de NAND Flash de micron incluent une interface asynchrone de données pour des opérations performantes d'entrée-sortie. Ces dispositifs utilisent un autobus à 8 bits fortement multiplexé (DQx) pour transférer des commandes, l'adresse, et des données. Il y a cinq signaux de commande employés pour mettre en application l'interface asynchrone de données : CE#, CLE, BIÈRE ANGLAISE, WE#, et RE#. Les signaux supplémentaires commandent le matériel écrivent la protection (WP#) et surveillent le statut de dispositif (R/B#).

Ce dispositif de NAND Flash de micron inclut en plus une interface synchrone de données pour des opérations performantes d'entrée-sortie. Quand l'interface synchrone est en activité, WE# devient CLK et RE# devient W/R#. Les transferts des données incluent un stroboscope bidirectionnel de données (DQS).

Cette interface de matériel crée un bas dispositif de goupille-compte avec un pinout standard qui demeure le même d'une densité à l'autre, permettant des mises à jour d'avenir à des densités plus élevées sans la nouvelle conception de conseil.

Une cible est l'unité de la mémoire accédée par une puce permettent le signal. Une cible contient l'un ou plusieurs NAND Flash meurent. NAND Flash meurent est l'unité minimum qui peut indépendamment exécuter des commandes et le statut de rapport. NAND Flash meurent, dans les spécifications d'ONFI, désigné sous le nom d'une unité logique (LUN). Pour d'autres détails, voir l'organisation de dispositif et de rangée.

Capacités absolues par le dispositif

Note : 1. tension sur toute goupille relativement au VSS.

Offre courante (vente chaude)