Page linéaire de circuits intégrés de M25PE16-VMW6TG - mémoire instantanée périodique effaçable
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
M25PE16
16-Mbit, mémoire instantanée périodique page-effaçable avec l'octet-altérabilité, autobus de 75 mégahertz SPI, pinout standard
Caractéristiques
■Interface série compatible d'autobus de SPI
■mémoire 16-Mbit instantanée page-effaçable
■Taille de la page : 256 octets
– La page écrivent dans Mme 11 (typique)
– Programme de page dans 0,8 Mme (typiques)
– Effacement de page dans Mme 10 (typique)
■Effacement de sous-secteur (4 K bytes)
■Effacement de secteur (64 K bytes)
■Effacement en vrac (16 Mbits)
■2,7 tension d'alimentation simple de V à de 3,6 V
■Fréquence de base de 75 mégahertz (maximum)
■ΜA profond du mode 1 de puissance-vers le bas (typique)
■Signature électronique
– Signature à deux bits standard de JEDEC (8015h)
– Code d'identification unique (UID) avec 16 octets d'inaltérable, disponible sur requête de client
■Le logiciel écrivent la protection sur une base du secteur 64-Kbyte
■Le matériel écrivent la protection de la zone de mémoire choisie utilisant le peu BP0, BP1 et BP2
■Plus de 100 000 écrivent des cycles
■Plus de 20 ans de conservation de données
■Paquets – ECOPACK® (RoHS conforme)
Description
Le M25PE16 est un 16-Mbit (mémoire instantanée paginée par publication périodique de × de 2 Mbits 8) accédée en un autobus SPI-compatible à grande vitesse.
La mémoire peut être écrite ou les 1 à 256 octets programmés à la fois, utilisant la page pour écrire ou paginer l'instruction de programme. La page écrivent l'instruction se compose d'un cycle intégré d'effacement de page suivi d'un cycle de programme de page.
La mémoire est organisée en tant que 32 secteurs qui sont encore divisés en 16 sous-secteurs chacun (512 sous-secteurs au total). Chaque secteur contient 256 pages et chaque sous-secteur contient 16 pages. Chaque page est l'octet 256 de large. Ainsi, la mémoire entière peut être regardée en tant que se composer de 8192 pages, ou 2 097 152 octets.
La mémoire peut être effacée une page à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de page, un sous-secteur à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de sous-secteur, un secteur à la fois, utilisant l'instruction d'effacement de secteur, ou dans son ensemble, utilisant l'instruction en vrac d'effacement.
La mémoire peut être protégée par le matériel ou le logiciel utilisant les caractéristiques de protection volatiles et non-volatiles mélangées, selon les besoins d'application. La granularité de protection est de 64 K bytes (granularité de secteur).
Estimation maximum
Soumettre à une contrainte le dispositif au-dessus de l'estimation énumérée dans les capacités absolues peut endommager permanent le dispositif. Ce sont des estimations d'effort seulement et l'opération du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections de fonctionnement de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.
| Symbole | Paramètre | Mn. | Maximum. | Unité |
|---|---|---|---|---|
| TSTG | Température de stockage | – 65 | 150 | °C |
| TLEAD | La température d'avance pendant la soudure | (1) | °C | |
| Es | Tension d'entrée et sortie (en ce qui concerne la terre) | – 0,6 | VCC + 0,6 | V |
| VCC | Tension d'alimentation | – 0,6 | 4,0 | V |
| VESD | Tension de décharge électrostatique (modèle de corps humain) (2) | – 2000 | 2000 | V |
Note :
1. Conforme avec JEDEC DST J-STD-020C (pour le petit corps, assemblée de Sn-Pb ou de Pb), les spécifications de Numonyx ECOPACK® 7191395, et la directive européenne concernant des restrictions aux substances dangereuses (RoHS) 2002/95/EU.
2. JEDEC DST JESD22-A114A (Ω PF, R1=1500 de C1=100, Ω R2=500).
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| MAX668EUB+ | 5357 | MAXIME | 10+ | MSOP |
| MURF860G | 7793 | SUR | 12+ | TO-220 |
| PBSS5540Z | 10000 | 16+ | SOT-23 | |
| MCR8SNG | 5788 | SUR | 13+ | TO-220 |
| LM6181IMX-8 | 1636 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| MC74HC4066DR2G | 38000 | SUR | 14+ | CONCESSION |
| CSD10060 | 2520 | HWCAT | 14+ | QFP |
| CSD06060 | 2509 | HWCAT | 15+ | QFP |
| MCP601T-I/OT | 10000 | PUCE | 16+ | SOT23-5 |
| BKP2125HS600-T | 23000 | TAIYO | 15+ | SMD |
| BK1608LM252-T | 52000 | TAIYO | 15+ | SMD |
| CLC001AJE | 1860 | NS | 11+ | SOP8 |
| LM5106MM | 3219 | TI | 15+ | VSSOP-10 |
| XRT7300IV | 500 | EXAR | 00+ | QFP44 |
| CS5530A-UCE | 936 | NS | 00+ | BGA |
| CS5536AD | 914 | AMD | 11+ | BGA |
| PIC16F887-I/SP | 4768 | PUCE | 15+ | IMMERSION |
| LT3580EMS8E | 13382 | LINÉAIRE | 16+ | MSOP |
| MC9S08AC128CFUE | 4522 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| LAN91C111-NS | 980 | SMSC | 13+ | QFP-128 |
| NCP1014AP100G | 8640 | SUR | 11+ | IMMERSION |
| NCP1055P100G | 9360 | SUR | 11+ | IMMERSION |
| NCP1014ST100T3G | 8800 | SUR | 10+ | SOT-223 |
| MAX8647ETE | 8773 | MAXIME | 16+ | QFN |
| MP020-5 | 5679 | MP | 16+ | CONCESSION |
| NCP1075P065G | 9520 | SUR | 13+ | IMMERSION |
| NCP1027P100G | 9120 | SUR | 15+ | IMMERSION |
| NCP1014AP065G | 8560 | SUR | 13+ | IMMERSION |
| NCP1027P065G | 9040 | SUR | 10+ | IMMERSION |
| NCP1014APL065R2G | 8720 | SUR | 15+ | SMD |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485