CY62157EV30LL-45BVXI IC électronique ébrèche 8-Mbit (512K X 16) MÉMOIRE RAM statique

CY62157EV30 MoBL®

8-Mbit (512K X 16) MÉMOIRE RAM statique

Caractéristiques

• Paquet de TSOP I configurable comme 512K X 16 ou en tant que 1M x 8 SRAM

• Grande vitesse : 45 NS

• Grand choix de tension : 2.20V-3.60V

• Pin compatible avec CY62157DV30

• Alimentation générale très réduite

— Courant de réserve typique : µA 2

— Courant de réserve maximum : µA 8 (industriel)

• Puissance active très réduite

— Courant actif typique : 1,8 mA @ f = 1 mégahertz

• Ajout de mémoire facile avec des configurations de CE1, de CE2, et d'OE

• Mise hors tension automatique une fois ne pas sélectionner

• CMOS pour la vitesse et la puissance optimas

• Disponible dans 48 la boule sans Pb et non sans Pb VFBGA,

44 goupille sans Pb TSOP II et 48 goupille TSOP que j'empaquette

Description fonctionnelle ^[1]

Le CY62157EV30 est une haute performance CMOS MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots 512K par 16 bits. Ce dispositif comporte la conception de circuit avancée pour fournir le courant actif très réduit. C'est idéal pour fournir plus de batterie Life™ (MoBL®) dans des applications portatives telles que les téléphones cellulaires. Le dispositif a également une puissance automatique en bas de la caractéristique qui réduit de manière significative la puissance quand les adresses ne basculent pas. Placez le dispositif dans le mode veille une fois ne pas sélectionner (le CE₁ HAUTE ou BAS_de la CE₂ ou BHE et BLE sont HAUT). Les goupilles d'entrée ou de sortie (E/S₀ à E/S₁₅)sont placéesdansunétatà grande impédancequand:

• Ne pas sélectionner (CE₁HAUTEou BAS_de laCE₂)

• Les sorties sont handicapées (la HAUTE d'OE)

• Le de haut d'octet permettent et l'octet bas Enable sont handicapé (HAUTE de BHE, de BLE)

• Écrivez l'opération est en activité (CE_le1 BAS, HAUTE_de la CE₂ et NOUS BAS)

Pour écrire au dispositif, prenez Chip Enable (CE_le1 BAS et HAUTE_de la CE₂) et écrivez permettent des entrées (NOUS) BAS. Si le bas d'octet permettent (BLE) est BAS, alors des données des goupilles d'E/S (E/S₀ à E/S₇)est écritdansl'emplacementspécifiquesurlesgoupillesd'adresse(A₀ à A₁₈). Silede hautd'octetpermettent(BHE)estBAS, alorsdesdonnéesdesgoupillesd'E/S(E/S₈ à E/S₁₅)est écritdansl'emplacementspécifiquesurlesgoupillesd'adresse(A₀ à A₁₈).

Pour lire du dispositif, prenez Chip Enable (CE_le1 BAS et HAUTE_de la CE₂) et la sortie permettent le BAS (OE) tout en forçant écrivent permettent (NOUS) HAUT. Si le bas d'octet permettent (BLE) est BAS, alors des données de l'emplacement de mémoire spécifique par les goupilles d'adresse apparaissent sur E/S₀ à E/S₇. Silede hautd'octetpermettent(BHE)estBAS, alorslesdonnéesde lamémoireapparaissentsurE/S₈ à E/S₁₅.

Schéma fonctionnel de logique

Notes 1. Pour des recommandations des pratiques, référez-vous svp à la note d'application de Cypress AN1064, directives de système de SRAM

Estimations maximum

Le dépassement des estimations maximum peut raccourcir la vie de batterie du dispositif. Des directives d'utilisateur ne sont pas examinées.

Température de stockage ......................................................................... – 65°C à + 150°C

Température ambiante avec la puissance ........................................... – 55°C appliqué à + 125°C

Tension d'alimentation pour rectifier le potentiel ................................ – 0.3V à 3.9V (VCCmax + 0.3V)

La tension CC s'est appliquée aux sorties dans le haut-z état ^{[6, 7]} ......... – 0.3V à 3.9V (VCCmax + 0.3V)

Le C.C a entré la tension ^{[6, 7]} .................................................... – 0.3V dans 3.9V (VCC maximum + 0.3V)

Courant de sortie dans des sorties (le BAS) ....................................................................... 20 mA

Tension de décharge statique ....................................... > 2001V (MIL-STD-883, méthode 3015)

Verrouillez vers le haut ............................................................................................... des > 200 mA actuel

Offre courante (vente chaude)