Transistor MOSFET électronique de puissance du transistor MOSFET HEXFET de la Manche d'IRF7311TRPBF IC Chips Dual N
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
IRF7311
Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®
- Technologie de la génération V
- Sur-résistance très réduite
- Double transistor MOSFET de N-canal
- Bâti extérieur
- Entièrement avalanche évaluée
Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice le rendant idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague.
Capacités absolues (MERCI = 25°C sauf indication contraire)
| Symbole | Maximum | Unités | ||
| Tension de Drain-source | VDS | 20 | V | |
| Tension de Porte-source | VGS | ±12 | V | |
| actuel 1 de drain continu | VENTRES = 25°C | Identification | 6,6 | |
| VENTRES = 70°C | 5,3 | |||
| Courant pulsé de drain | IDM | 26 | ||
| Courant de source continu (conduction de diode) | EST | 2,5 | ||
| maximum 1 de dissipation de puissance | VENTRES = 25°C | Palladium | 2,0 | W |
| VENTRES = 70°C | 1,3 | |||
| simple 2 d'énergie d'avalanche d'impulsion | EAS | 100 | MJ | |
| Courant d'avalanche | IAR | 4,1 | ||
| Énergie répétitive d'avalanche | OREILLE | 0,20 | MJ | |
| maximal 3 de la récupération dv/dt de diode | dv/dt | 5,0 | V/ NS | |
| Température ambiante de jonction et de température de stockage | TJ, TSTG | -55 + à 150 | °C | |
Notes :
1. La surface a monté sur 1 dans le panneau carré de Cu
2. Commençant TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.
≤ 4.1A, ≤ 92A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ 150°C d'ISD du 3. de di/dt de VDD de TJ
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
| IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
| IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
| IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
| IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
| IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
| IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF840PBF | 14327 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
| IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
| IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF9620PBF | 3435 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
| IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
| IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
| IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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Niveau du tube 3 MSL de Pin PLCC du conducteur DMOS 5V 44 de moteur pas à pas de puissance d'A3977SEDTR |
Bipolar Motor Driver DMOS Logic 44-PLCC (16.59x16.59)
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