FM25V02-G IC électronique ébrèche la mémoire périodique de 256Kb 3V F-RAM

FM25V02

mémoire périodique de 256Kb 3V F-RAM

Caractéristiques

256K a mordu RAM non-volatile ferroélectrique

• Organisé en tant que 32 768 x 8 bits
• La résistance élevée 100 trillion (1014) a lu/écrit
• Conservation de 10 données d'an
• NoDelay™ écrit
• Processus ferroélectrique de Haut-fiabilité avancée

Interface périphérique périodique très rapide - SPI

• Jusqu'à 40 mégahertz de fréquence
• Remplacement direct de matériel pour l'éclair périodique
• Mode 0 et 3 de SPI (CPOL, CPHA=0,0 et 1,1)

Écrivez le plan de protection

• Protection de matériel
• Protection des logiciels

Identification de dispositif et numéro de série

• L'identification de dispositif donne lecture l'identification de fabricant et l'identification de partie
• Numéro de série unique (FM25VN02)

Basse tension, puissance faible

• Opération de basse tension 2.0V – 3.6V
• courant de remplaçant de 90 μA (type.)
• courant de mode de sommeil de 5 μA (type.)

Configurations industriellement compatibles

• La température industrielle -40℃ à +85℃
• paquet de /RoHS SOIC du « vert » 8-pin
• paquet de /RoHS TDFN du « vert » 8-pin

Description

Le FM25V02 est une mémoire non volatile de 256 kilobits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès sélectif ou un F-RAM ferroélectrique est non-volatile et exécute lit et écrit comme RAM. Il fournit la conservation fiable de données pendant 10 années tout en éliminant les complexités, les frais généraux, et les problèmes au niveau système de fiabilité provoqués par mémoires non volatiles instantanées et autres périodiques.

À la différence de l'éclair périodique, le FM25V02 exécute pour écrire des opérations à la vitesse d'autobus. Aucun écrivez les retards sont encourus. Des données sont écrites à la rangée de mémoire juste après qu'elles ont été transférées au dispositif. Le prochain cycle d'autobus peut débuter sans besoin de vote de données. Le produit offre très haut d'écrire la résistance, ordres de grandeur de plus résistance que l'éclair périodique. En outre, F-RAM montre la consommation de puissance faible que l'éclair périodique.

Ces capacités rendent l'idéal FM25V02 pour l'exigence d'applications de mémoire non volatile fréquent ou rapide écrit ou opération de puissance faible. Les exemples s'étendent de la collecte de données, d'où le nombre écrivent des cycles peut être critique, à exiger les contrôles industriels où les longs écrivent la période de l'éclair périodique peuvent causer la perte de données.

Le FM25V02 fournit les indemnités substantielles aux utilisateurs de l'éclair périodique comme remplacement de réunion informelle de matériel. Les dispositifs utilisent l'autobus ultra-rapide de SPI, qui augmente l'ultra-rapide écrit la capacité de la technologie de F-RAM. Le FM25VN02 est offert avec un numéro de série unique qui est inaltérable et peut être employé pour identifier un conseil ou un système. Les deux dispositifs incorporent une identification inaltérable de dispositif qui permet à l'hôte de déterminer le fabricant, la densité de produit, et la révision de produit. Les dispositifs sont garantis sur une température ambiante industrielle de -40°C à +85°C.

Capacités absolues

Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous des capacités absolues peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement, et l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux énumérés dans la section opérationnelle de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacités absolues pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Pin Configuration

Offre courante (vente chaude)