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BTS721L1 Electronic IC Chips Smart Four Channel Highside Power Switch

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 2.5A PG-DSO-20 de 1:1 de commutateur électrique/conducteur
Catégorie:
Gestion IC de puissance
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension d'alimentation:
43V
Tension d'alimentation pour la pleine protection de court-circuit:
34 V
Température de fonctionnement:
-40… °C +150
Température de stockage:
-55… °C +150
Capacité de décharge électrostatique (ESD) (modèle de corps humain):
1,0 kilovolts
Protection de décharge de charge:
60 V
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduction

 

Commutateur d'alimentation intelligent à quatre canaux

 

 

Caractéristiques

• Protection de surcharge

• Limitation de courant

• Protection de court circuit

• Arrêt thermique

 

• Protection contre les surtensions (y compris décharge de charge)

• Démagnétisation rapide des charges inductives

• Protection inversée de la batterie1)

• Arrêt en cas de sous-tension et de surtension avec redémarrage automatique et hystérésis

 

• Sortie de diagnostic de drain ouvert

• Détection de charge ouverte à l'état ON

• Entrée compatible CMOS

• Perte de masse et perte de protection Vbb

• Protection contre les décharges électrostatiques (ESD)

                                                                                                                                               

1) Avec limitation de courant externe (par ex. résistance RTerre=150 Ω) en connexion GND, résistance en série avec connexion ST, courant de charge inverse limité par la charge connectée.

 

Application

• Interrupteur d'alimentation compatible µC avec retour de diagnostic pour les charges mises à la terre de 12 V et 24 V CC

• Tous types de charges résistives, inductives et capacitives

• Remplace les relais électromécaniques et les circuits discrets

 

Description générale

FET de puissance vertical à canal N avec pompe de charge, entrée compatible CMOS référencée à la terre et retour de diagnostic, intégré de manière monolithique dans la technologie Smart SIPMOS.Fournir des fonctions de protection intégrées.

 

Notes maximalesà Tj= 25°C sauf indication contraire

Paramètre Symbole Valeurs Unité
Tension d'alimentation (protection contre les surtensions voir page 4) Vbb 43 V
Tension d'alimentation pour une protection totale contre les courts-circuits Tj, commencer=-40 ...+150°C Vbb 34 V
Courant de charge (Courant de court-circuit, voir page 5) jeL auto-limité UN
Protection contre le vidage de charge2) VLoadDump= UA + Vs, UUN= 13,5 VRje 3) = 2Ω, td= 200 ms ;IN= bas ou haut, chaque canal chargé avec RL= 4.7Ω, VDécharge de charge4) 60 V

Plage de température de fonctionnement

Plage de température de stockage

Tj

Tstg

-40 ...+150

-55 ...+150

°C

Puissance dissipée (CC)5Ta = 25°C :

(tous les canaux actifs) Ta = 85°C :

Ptot

3.7

1.9

O

Dissipation d'énergie de coupure de charge inductive, impulsion unique

Vbb=12V, Tj, commencer=150°C5),

jeL= 2,9 A, ZL= 58 mH, 0Ω un canal :

jeL= 4,3 A, ZL= 58 mH, 0Ω deux canaux parallèles :

jeL= 6,3 A, ZL= 58 mH, 0Ω quatre canaux parallèles :

ECOMME

 

 

0,3

0,65

1.5

J
Capacité de décharge électrostatique (ESD) (modèle du corps humain) VESD 1.0 kV

Tension d'entrée (CC)

Courant à travers la broche d'entrée (DC)

Courant à travers la broche d'état (DC)

VDANS

jeDANS

jeST

-10 ... +16

±2,0

±5,0

V

mA

 

Résistance thermique

jonction - point de soudure5),6)chaque canal :

jonction - ambiante5)un canal actif :

tous les canaux actifs :

 

Rmerci

Rthja

 

 

15

41

34

K/W

2) Les tensions d'alimentation supérieures à Vbb(AZ) nécessitent une limitation de courant externe pour les broches GND et d'état, par exemple avec une résistance de 150 Ω dans la connexion GND et une résistance de 15 kΩ en série avec la broche d'état.Une résistance de protection d'entrée est intégrée.

3) RI = résistance interne du générateur d'impulsions de test de décharge de charge

4) VDécharge de chargeest configuré sans le DUT connecté au générateur selon ISO 7637-1 et DIN 40839

5) Dispositif sur PCB époxy FR4 de 50 mm * 50 mm * 1,5 mm avec une zone de cuivre de 6 cm2 (une couche, 70 µm d'épaisseur) pour la connexion Vbb.Le PCB est vertical sans air soufflé.Voir page 15

6) Point de soudure : côté supérieur du bord de soudure de la broche 15 de l'appareil. Voir page 15

 

 

 

 

 

Offre d'achat d'actions (vente à chaud)

Numéro de pièce Quantité Marque D/C Emballer
TOP261YN 2373 POUVOIR 16+ TO-220
TOP264VG 8873 POUVOIR 16+ EDIP-12
TOP266EG 16921 POUVOIR 10+ ESIP-7C
TOP267EG 7031 POUVOIR 16+ ESIP-8C
TOP271EG 3488 POUVOIR 15+ ESIP-7C
TORX173 2713 TOSHIBA 16+ DIP-6
TP3071N-G 5344 NSC 15+ DIP-20
TP3404V 1876 NSC 16+ PLCC28
TPA1517DWPR 10982 TI 11+ POS-20
TPA3113D2PWPR 6422 TI 15+ HTSSOP28
TPA3123D2PWR 6127 TI 16+ POSST-24
TPA6120A2DWPR 3730 TI 15+ POS-20
TPC8109 18035 TOSHIBA 16+ POS-8
TPC8115-H 24551 TOSHIBA 14+ POS-8
TPD1E10B09DPYR 44000 TI 15+ X2SON2
TPD2E001DRLR 17000 TI 16+ SOT-553
TPD4123K 2950 TOSHIBA 11+ DIP-26
TPD4S012DRYR 18161 TI 16+ FILS-6
TPIC6595DWR 7838 TI 14+ POS-20
TPIC6B273DWR 8162 TI 16+ POS-20
TPIC6B596DWRG4 4856 TI 14+ POS-20
TPL5010DDCR 7320 TI 16+ SOT23-6
TPS2041BDBVR 18106 TI 13+ SOT23-5
TPS2041CDBVR 24622 TI 16+ SOT23-5
TPS2042BDR 7385 TI 16+ POS-8
TPS2046BDR 7505 TI 06+ POS-8
TPS2052BDR 14753 TI 16+ POS-8
TPS2054BDR 11053 TI 10+ POS-16
TPS2111PWR 11124 TI 08+ POSST-8
TPS2543RTER 4305 TI 16+ QFN16

 

 

 

 

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MOQ:
20pcs