Composants de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC 4M SRAM (】 512-kword à 8 bits
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Composants de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC
4M SRAM (512-kword] à 8 bits
Une partie du bulletin de la cote
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Description
Le R1LP0408C-C est un 4-Mbit MÉMOIRE RAM que statique a organisé le × de 512 kilomots à 8 bits. R1LP0408 C-C Series a réalisé une performance plus à haute densité et plus haute et une consommation de puissance faible en utilisant la technologie transformatrice de CMOS (cellule de mémoire 6-transistor). Le R1LP0408 C-C Series offre à puissance faible la dissipation d'alimentation générale ; donc, il convient aux réseaux de réserve de batterie. Il a empaqueté dans la CONCESSION de 32 bornes, 32 la goupille TSOP II.
Caractéristiques
• Approvisionnement simple de 5 V : ± 10% de 5 V
• Temps d'accès : 55/70 NS (maximum)
• Dissipation de puissance : actif : remplaçant de de 10 mW/MHz (type) : µW 4 (type)
• Mémoire complètement statique. aucune horloge ou stroboscope de synchronisation requis
• Égalité d'accès et durées de cycle
• Entrée et sortie commune de données. sortie d'état du trois
• Directement TTL compatible. toutes les entrées et sorties
• Opération de secours de batterie.
• Température de fonctionnement : −20 à +70°C
Pin Arrangement

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original

Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT

NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF

Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double

Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485
