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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR

TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR

TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR
TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR
TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
transistor (BJT) ipolar PNP 60 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 50MHz 1 W
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VCC:
6.5V
Toutes les entrées et sorties w.r.t. VSS:
. -0.6V VCC à +1.0V
Température de stockage:
-65°C à +150°C
Température ambiante avec la puissance appliquée:
-40°C à +125°C
Protection d'ESD sur toutes les goupilles:
. ≥ 4 kilovolts
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduction

TRANSISTOR 2SB1261 | BJT | PNP | Président de 60V V (BR) | 3A I (C) | Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de TO-252VAR

Caractéristiques :

• Technologie de basse puissance de CMOS :

- Le maximum écrivent à courant 3 mA à 5.5V

- Le maximum a lu le μA 400 actuel à 5.5V

- Na de réserve du courant 100, typique à 5.5V

• autobus à 2 fils d'interface série, I2C™ compatible

• Cascadable pour jusqu'à huit dispositifs

• l'effacement Auto-synchronisé/écrivent le cycle

• la page de 64 octets écrivent le mode disponible

• maximum de 5 Mme écrire la durée de cycle

• Protection contre l'écriture de matériel pour la rangée entière

• Contrôle de pente de sortie pour éliminer le rebond au sol

• Entrées de déclencheur de Schmitt pour la suppression de bruit

• 1 000 000 s'effacent/pour écrire des cycles

• Protection de décharge électrostatique > 4000V

Description :

Microchip Technology Inc. 24AA256/24LC256/24FC256 (24XX256*) est de 32K X (256 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM effaçable électriquement, capable de l'opération à travers une large gamme de tension (1.8V à 5.5V). Elle a été développée pour des applications telles que des communications personnelles ou par acquisition de données avancées et de basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page la capacité de jusqu'à 64 octets de données. Ce dispositif est capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu'à la frontière 256K. Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'à huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace d'adressage jusqu'à de 2 Mbit. Ce dispositif est disponible dans paquets en plastique standard d'IMMERSION, de SOIC, de TSSOP, de MSOP et de DFN les de 8 borne.

BULLETIN DE LA COTE

MAX6301CSA 4076 MAXIME 16+ CONCESSION
LM2841XBMKX 10188 NSC 15+ SOT-23-5
LMC7111BIM5 10000 NSC 14+ SOT-23-5
LM3876T 543 NSC 13+ ZIP-11
LMC6062AIM 4239 NSC 14+ SOP-8
LMV431BIMF 10000 NSC 15+ SOT-23
MAX8682ETM 5146 MAXIME 16+ QFN
LMC6572BIM 4338 NSC 14+ SOP-14
LMC6482IMX 2999 NSC 15+ SOP-8
LM7301IM5 4926 NSC 15+ SOT-23-5
PAL007A 3260 Transistor MOSFET 14+ FERMETURE ÉCLAIR
MS5540-CM 6519 MEASUYEME 16+ SMD
88AP270MA2-BHE1C520 320 MARVELL 15+ BGA
MT9171AN 7471 ZARLINK 16+ SSOP
MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 SUR 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ IVROGNE
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MODULE
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MODULE
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MODULE
MAX209EWG 7850 MAXIME 14+ CONCESSION
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 SUR 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MAXIME 16+ QFN
MAC97A6 25000 SUR 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRUS 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 TRELLIS 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 SUR 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MODULE
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MODULE
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MODULE
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANNONCE 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MODULE
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MODULE
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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5pcs
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