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SMCJ5.0A-E3/57T IC électronique Chips Integrated Circuit Components

SMCJ5.0A-E3/57T IC électronique Chips Integrated Circuit Components
SMCJ5.0A-E3/57T IC électronique Chips Integrated Circuit Components
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
DIODE 5VWM 9.2VC DO214AB DE TV
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Dissipation de puissance de crête des impulsions avec une forme d'onde de µs de 10/1000:
1500W
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi unidirectionnelle s:
200 A
Dissipation de puissance sur le radiateur infini, VENTRES = °C 50:
6,5 W
La température de jonction fonctionnante:
- 55 + au °C 150
Température de stockage:
- 55 + au °C 150
VWM:
5,0 V à 188 V
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TEF6606T 4200 15+ SOP-32
TDA7293V 4500 St 16+ ZIP-16
TS2431AILT 30000 St 15+ SOT-23
TIP42C 10000 FSC 15+ TO-220
TDA2050V 4819 St 14+ TO220-5
TDA7294V 8938 St 15+ ZIP-15
TPS2552DBVR 8928 TI 16+ SOT23-6
TL494CN 10000 TI 15+ DIP-16
TIP42C 10000 FSC 15+ TO-220
TIP41C 10000 FSC 15+ TO-220
VB326SP 5399 St 15+ SOP-10
TDA2030V 6911 St 15+ TO-220
TDA2052V 2500 St 15+ TO220-7
W78E365A40PL 4827 WINBOND 15+ PLCC44
TCLT1002 10000 VISHAY 15+ SOP-4
TL431CLPRE3 30000 TI 16+ TO-92
TS5A22362DGSR 5882 TI 15+ MSOP-10
TPA3111D1PWPR 7261 TI 13+ TSSOP-28
TS3A24159DGSR 3877 TI 15+ MSOP-10
VIPER100A 5382 St 14+ TO-220-5
TIL119 4120 FSC 15+ DIP-6
ULN2823A 3727 ALLÉGRO 15+ DIP-18
MCP6001T-I/OT 10000 PUCE 16+ SOT23-5
LTC1286CS8 5342 LT 16+ CONCESSION
LTST-C170TGKT 25000 LITEON 14+ SMD
MR756 6288 SUR 16+ IMMERSION
MAX31865ATP+T 9950 MAXIME 15+ QFN
NTF3055L108T1G 4680 SUR 14+ SOT-223
ATMEGA8A-AU 3304 ATMEL 15+ QFP32
MC14046BDWR2G 15000 SUR 13+ CONCESSION

SMCJ5.0 par SMCJ188CA

Général semi-conducteur de Vishay

Dispositifs antiparasites passagers extérieurs de tension du bâti TRANSZORB®

CARACTÉRISTIQUES

• Paquet de profil bas

• Idéal pour le placement automatisé

• Jonction passivée en verre de puce

• Disponible dans unidirectionnel et bidirectionnel

• Excellente capacité de fixage

• Temps de réponse rapide même

• Basse résistance par accroissement de montée subite

• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 260

• °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s

• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS TYPIQUES

Utilisation dans la protection sensible de l'électronique contre des coupures de tension induites par la commutation de charge inductive et l'allumage sur les IC, le transistor MOSFET, les lignes des unités de capteur pour le consommateur, l'ordinateur, industriel, des véhicules à moteur et télécommunication.

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas : DO-214AB (SMCJ)

Le composé de moulage rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

Base P/nord-est 3 - RoHS conforme, qualité marchande

Base P/NHE3 - RoHS conforme, catégorie des véhicules à moteur de fiabilité élevée (l'AEC Q101 a qualifié)

Terminaux : Avances plaque en fer blanc, solderable mats par J-STD-002 et JESD22-B102

Le suffixe E3 rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201

Polarité : Pour les types unidirectionnels la bande dénote l'extrémité de cathode, aucune inscription sur les types bidirectionnels

ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)

PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Dissipation de puissance de crête des impulsions avec une forme d'onde de µs de 10/1000 (1) (2) PPPM 1500 W

Courant de montée subite en avant maximal

sinus-vague simple de 8,3 Mme demi seulement (2) unidirectionnel

 IFSM 200
Dissipation de puissance sur le radiateur infini, VENTRES = °C 50 Palladium 6,5 W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG - 55 + à 150 °C

DIMENSIONS d'ENSEMBLE de PAQUET en pouces (millimètres)

DO-214AB (J-courbure de SMC) Disposition de support de fixation

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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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Courant:
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10pcs
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