Composant d'IC Chips Integrated Circuits IC de l'électronique de SN74LVC2G241DCUR
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Caractéristiques
Disponible dans Texas Instruments Nanostar et le NonaFree Pakages
Soutient l'opération de 5-V Vcc
Les entrées acceptent Volagets à 5.5V
Tpd maximum de 4.1ns à 3.3V
Consommation de puissance faible, 10-uA ICC maximum
+-24-mA a produit la commande à 3.3V
Volp typique (rebond au sol de sortie) <0>
Vohv typique (attérrissage trop court de Voh de sortie) >2V à Vcc=3.3V Ta= 25°C
Ioff soutient l'opération de mode de Partiel-puissance-Vers le bas
La représentation de verrou- dépasse 100mA par classe de JESD 78 II
La protection d'ESD dépasse JESD 22
modèle de corps humain du − 2000-V (A114-A)
modèle de machine du − 200-V (A115-A)
modèle de Charger-dispositif du − 1000-V (C101)
capacités absolues sur la température ambiante fonctionnante de libre-air
(sauf indication contraire) †
Gamme de tension d'alimentation, VCC V de −0.5 V à 6,5
Gamme de tension d'entrée, VI (voir la note 1) −0.5 V 6,5
La chaîne de tension s'est appliquée à n'importe quelle sortie dans l'état à grande impédance ou de puissance-,
Vo (voir la note 1)…………………………………. V de −0.5 V à 6,5
La chaîne de tension s'est appliquée à n'importe quelle sortie dans l'état élevé ou bas,
Vo (voir les notes 1 et 2) le −0.5 V au V.……………………. CC + 0,5 V
Courant de bride d'entrée, IIK (VI < 0="">
Courant de bride de sortie, IOK (Vo < 0="">
Courant de sortie continu, E/S………………………… ±50 mA
Courant continu par VCC ou terre………. ±100 mA
Impédance thermique de paquet, θJA (voir la note 3) : Paquet 220 °C/W de DCT
Paquet 227 °C/W de DCU
Paquet 140 °C/W de YEAH/YZA
Paquet 102 °C/W de YEP/YZP
Température ambiante de température de stockage, °C de Tstg −65 à 150°C
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC