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IRF640NSTRLPBF a avancé la technologie transformatrice l'IC que commun ébrèche les circuits numériques d'IC

IRF640NSTRLPBF a avancé la technologie transformatrice l'IC que commun ébrèche les circuits numériques d'IC
IRF640NSTRLPBF a avancé la technologie transformatrice l'IC que commun ébrèche les circuits numériques d'IC
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti D2PAK de la surface 150W (comité technique) du N-canal 200 V 18A (comité technique)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Courant continu de drain, VGS @ 10V:
13 A
Courant pulsé de drain:
? 72 A
Dissipation de puissance:
150 W
Point culminant:

electronic integrated circuit

,

digital integrated circuits

Introduction

Bulletin de la cote

MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 SUR 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ IVROGNE
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MODULE
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MODULE
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MODULE
MAX209EWG 7850 MAXIME 14+ CONCESSION
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 SUR 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MAXIME 16+ QFN
MAC97A6 25000 SUR 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRUS 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 TRELLIS 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 SUR 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MODULE
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MODULE
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MODULE
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANNONCE 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MODULE
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MODULE
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE

Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®

? ►Processus avancé

►Technologie ? Estimation dynamique de dv/dt ?

►température de fonctionnement 175°C ?

►Commutation rapide ?

►Entièrement avalanche évaluée ?

►Facilité de la parallélisation ?

►Conditions simples d'entraînement

►? Sans plomb

Description

Les transistors MOSFET de puissance de la cinquième génération HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

Le D2Pak est un paquet extérieur de puissance de bâti capable du logement à mourir des tailles jusqu'à HEX-4. Il fournit la capacité de la puissance la plus élevée et le plus bas possible onresistance en n'importe quel paquet extérieur existant de bâti. Le D2Pak convient aux applications à forte intensité en raison de sa basse résistance interne de connexion et peut absorber jusqu'à 2.0W dans une application extérieure typique de bâti.

La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour l'application lowprofile

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