SFH6106-3 circuit intégré Chip Optocoupler, sortie de phototransistor, fiabilité élevée, 5300 VRMS
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
SFH610A/SFH6106
Coupleur optique, sortie de phototransistor, fiabilité élevée, 5300 VRMS
Caractéristiques
• Bonnes linéarités de CTR selon le courant en avant
• Tension d'essai d'isolement, 5300 VRMS
• Tension de collecteur-émetteur élevée, VCEO = 70 V
• Basse tension de saturation
• Périodes de changement rapides
• Basse dégradation de CTR
• Écurie de la température
• Basse capacité de accouplement
• Fin-empilable, 0,100" espacement (2,54 millimètres)
• Immunité élevée d'interférence de Commun-mode
• Composant sans d'avance (Pb)
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
Approbations d'agence
• UL1577, code Hollerith de système de no. E52744 de dossier ou J, double protection
• EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN
En 60747-5-5 DIN en suspens
Disponible avec l'option 1
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
Description
La caractéristique SFH610A (IMMERSION) et SFH6106 (SMD) un rapport à forte intensité de transfert, une basse capacité de accouplement et une tension élevée d'isolement. Ces coupleurs ont un émetteur infrarouge de diode de GaAs, qui est optiquement couplé à un détecteur planaire de phototransistor de silicium, et sont incorporés dans un paquet en plastique de DIP-4 ou de SMD. Les dispositifs de accouplement sont conçus pour la transmission de signal entre deux circuits électriquement séparés. Les coupleurs sont fin-empilables avec 2,54 millimètres d'espacement.
Des distances d'ascension et de dégagement de > 8,0 millimètres sont réalisées avec l'option 6. Cette version est conforme au CEI 60950 (VDE 0805 DIN) pour l'isolation renforcée jusqu'à une tension d'opération de 400 VRMS ou de C.C. Caractéristiques sujet au changement.
Capacités absolues
Tamb = °C 25, sauf indication contraire
Les efforts au-dessus des capacités absolues peuvent endommager permanent le dispositif. Le fonctionnement fonctionnel du dispositif n'est impliqué à ces derniers ou à aucune autre condition au-dessus de ceux donnés dans les sections opérationnelles de ce document. L'exposition à la capacité absolue pendant des périodes prolongées du temps peut compromettre la fiabilité.
Entrée
| Paramètre | Condition d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension inverse | VR | 6,0 | V | |
| C.C en avant actuel | SI | 60 | mA | |
| Augmentez en avant actuel | µs du ≤ 10 de t | IFSM | 2,5 | |
| Dissipation de puissance | Pdiss | 100 | mW |
Sortie
| Paramètre | Condition d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de collecteur-émetteur | VCE | 70 | V | |
| tension d'Émetteur-collecteur | VEC | 7,0 | V | |
| Courant de collecteur | IC | 50 | mA | |
| Mme du ≤ 1,0 de t | IC | 100 | mA | |
| Dissipation de puissance | Pdiss | 150 | mW |
Coupleur
| Paramètre | Condition d'essai | Symbole | Valeur | Unité |
| La tension d'essai d'isolement entre l'émetteur et le détecteur, se rapportent au climat DIN 40046, la partie, novembre 74 | VISO | 5300 | VRMS | |
| Ascension | ≥ 7,0 | millimètre | ||
| Dégagement | ≥ 7,0 | millimètre | ||
| Épaisseur d'isolation entre l'émetteur et le détecteur | ≥ 0,4 | millimètre | ||
| Index de cheminement comparatif par CEI 112/VDEO 303, partie DIN | ≥ 175 | |||
| Résistance d'isolement | Es = 500 V, Tamb = °C 25 | RIO | ≥ 1012 | Ω |
| Es = 500 V, Tamb = °C 100 | RIO | ≥ 1011 | Ω | |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | - 55 + à 150 | °C | |
| Température ambiante de température ambiante | Tamb | - 55 + à 100 | °C | |
| La température de jonction | Tj | 100 | °C | |
| La température de soudure | distance de soudure d'immersion du maximum 10 S. à poser le ≥ plat 1,5 millimètres | Tsld | 260 | °C |
Dimensions de paquet en pouces (millimètres)
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC